極低溫掃描隧道顯微鏡是一種用於物理學領域的分析儀器，於2016年05月31日啟用。
基本介紹
- 中文名：極低溫掃描隧道顯微鏡
- 產地：日本
- 學科領域：物理學
- 啟用日期：2016年05月31日
- 所屬類別：分析儀器 > 顯微鏡及圖象分析儀器 > 掃描探針顯微鏡
技術指標,主要功能,
技術指標
真空度：≦1.3×10-8Torr；EB加熱最高溫度至1800K；DC加熱最大電流10A，最高溫1600K；使用液氦溫度範圍3.2K-80K；使用液氮溫度範圍77K-室溫；XY方向掃描範圍：在室溫/77K/4.2K下分別為≧4/1.2微米。Z方向工作範圍：在室溫/77K/4.2K下分別為≧250/70/60納米。Z向解析度：80K下≦0.05nm，5K下≦0.02nm。XY方向解析度：78K下≦0.1nm，5K下≦0.05nm；穩定性：80K下XY方向的漂移≦2nm/hour，5K下≦0.5nm/hour；最小隧穿電流：≦3pA。
主要功能
對半導體和導體材料進行表面處理：EB、DC加熱，氬離子轟擊，用特定的源進行鍍層。對製備好的材料進行表面原子結構的測試，得到原子像，測試材料的I-V和dI/dV曲線。
