晶體場理論是計算離子能級的一種有效方法,在物理,化學,礦物學,雷射光譜學以及順磁共振中有廣泛套用。
基本介紹
- 中文名:晶體場效應
- 外文名:Crystal-Field Effect
晶體場理論是計算離子能級的一種有效方法,在物理,化學,礦物學,雷射光譜學以及順磁共振中有廣泛套用。
晶體場理論是計算離子能級的一種有效方法,在物理,化學,礦物學,雷射光譜學以及順磁共振中有廣泛套用。基本思想認為中心離子的電子波函式與周圍離子(配位子)的電子波函式不相重疊,因而把組成晶體的離子分為兩部分:基本部分是中心離...
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為...
場效應[晶體]管 場效應[晶體]管(field-effect transistor)是2019年公布的物理學名詞,出自《物理學名詞》第三版。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。產品簡介 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應電晶體,或者稱...
這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應電晶體。如果N型矽襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當的偏壓,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應電晶體稱為P溝道耗盡型場效應電晶體。統稱為PMOS電晶體。P溝道MOS...
簡稱MOS場效應晶體管。平面技術是用一系列半導體工藝將電晶體、元件、導線等都做在矽平面上(見積體電路)。場效應電晶體包括源極、漏極、柵極和連線源漏的溝道。柵極和溝道之間的絕緣層是二氧化矽層。二氧化矽層很薄(小至幾個納米),...
晶體管是現代電器的最關鍵的元件之一。電晶體之所以能夠大規模使用是因為它能以極低的單位成本被大規模生產。釋義 電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、晶閘管(後三者均為三...
電晶體主要分為兩大類:雙極性電晶體(BJT)和場效應電晶體(FET)。電晶體有三個極;雙極性電晶體的三個極,分別由N型跟P型組成射極(Emitter)、基極(Base)和集極(Collector);場效應電晶體的三個極,分別是源極(Source)、...
這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應電晶體。如果N型矽襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當的偏壓,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應電晶體稱為P溝道耗盡型場效應電晶體。統稱為PMOS電晶體。P溝道MOS...
場效應管 場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型:結型場效應管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單...