斷態電壓(off-state voltage)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:斷態電壓
- 外文名:off-state voltage
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
斷態電壓(off-state voltage)是1998年公布的電氣工程名詞。
斷態電壓(off-state voltage)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電氣工程名詞》第一版。1...
斷態直流電壓 斷態直流電壓(direct off-state voltage)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
斷態電壓臨界上升率 這是指在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管從斷態到導通的最低電壓上升率。
斷態工作峰值電壓 閥或換流臂上出現的斷態電壓最大瞬時值。
斷態不重複峰值電壓U為控制極斷路時,其陽極伏安特性曲線急劇轉彎處所規定的斷態峰值電壓。該電壓是一個不能連續施加,且持續時間不大於10毫秒的斷態最大脈衝電壓。相關聯繫 斷態重複峰值電壓U為斷態不重複峰值電壓(即斷態最大瞬時...
電路斷態重複峰值電壓 電路斷態重複峰值電壓(circuit repetitive peak off-state voltage)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
反向重複峰值電壓是晶閘管元件的主要參數之一,用Urrm表示。在額定結溫和門極開路情況下,允許重複加在陽極和陰極之間的反向峰值電壓。它反映了阻斷狀態下晶閘管能承受的反向電壓。該電壓取反向不重複峰值電壓的80%。相關概念 斷態重複峰值...
這有點混亂,因為“夾斷”施加到絕緣柵場效應電晶體(IGFET)是指信道夾持,導致在高源-漏偏置電流飽和行為,即使當前是從來沒有過。與“夾斷”不同,術語“閾值電壓”是明確的,在任何場效應電晶體中都是指相同的概念。斷態電壓臨界...
斷態電流 斷態電流(off-state current)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
TLP161G TLP161G是東芝旗下電子產品,重複峰值斷態電壓(最大值)為400V。產品介紹 產品規格 絕對最大額定值 電氣特性
半導體放電管也稱固態放電管是一種PNP元件,當外加電壓低於斷態電壓時,器件處於斷開狀態;當電壓超過它的斷態峰值電壓時,半導體放電管會將瞬態電壓箝制到元件的轉折電壓內;電壓繼續增大時,半導體放電管由於負阻效應進入導通狀態,這時...
VDRM——重複峰值斷態電壓 600V IT(RMS)——RMS通態電流(Ta=89℃) 8A VGM——峰值門極電壓 10V IGM——峰值門極電流 2.0A ITSM——浪涌通態電流(一個周期50/60HZ,峰值,不重複) 80/88A VISO——絕緣擊穿電壓(RMS,交流1...
①反向斷態電壓VRWM:表示TVS管不導通的最高電壓,在這個電壓下只有很小的反向漏電流IR。②擊穿電壓VBR:TVS管通過規定的測試電流IT時的電壓,這是表示TVS管導通的標誌電壓(TVS管的擊穿電壓有±5%的誤差範圍)。③脈衝峰值電流IPP:TVS...
快速晶閘管的動態參數要求為開通速度和導通擴展速度快,反向恢復電荷少,關斷時間短,通態電流臨界上升率(dI/dt)及斷態電壓臨界上升率 (dV/dt)高。通態電流臨界上升率是在規定條件下,器件從斷態轉入通態時,對晶閘管不產生有害影響的...
快速晶閘管的動態參數要求為開通速度和導通擴展速度快,反向恢復電荷少,關斷時間短,通態電流臨界上升率(dI/dt)及斷態電壓臨界上升率(dV/dt)高。通態電流臨界上升率是在規定條件下,器件從斷態轉入通態時,對晶閘管不產生有害影響的最...
2.106 什麼是晶閘管的通態平均電壓?2.107 什麼是晶閘管的通態平均電流、維持電流、擎住電流、浪涌電流?2.108 什麼是晶閘管的斷態電壓臨界上升率?2.109 什麼是晶閘管的通態電流臨界上升率?2.110 什麼是晶閘管的正向特性?2.111 ...
97A6是一種電子元件型號,屬雙向可控矽。用途 主要用於變頻電路及調光、調速電路等。主要參數 封裝形式:TO-92(T2GT1)斷態重複峰值電壓 400 V 反向重複峰值電壓 400 V 通態平均電流 IT(AV) 1 A 通態(不重複)浪涌電流 ITSM ...
S1導通時,二極體VD1處於通態,電感L的電流逐漸上升。S2導通時,二極體VD2處於通態,電感L的電流也逐漸上升。當兩個開關都關斷時,VD1和VD2都處於通態,各分擔一半的電流。S1和S2斷態時承受的峰值電壓均為2倍Ui。S1和S2同時導通,...
ITSM--通態一個周波不重複浪涌電流 VTM--通態峰值電壓 IGT--門極觸發電流 VGT--門極觸發電壓 IH--維持電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率 di/dt--通態電流臨界上升率 Rthjc--結殼熱阻 ⅥSO--模組絕緣電壓 Tjm--額定結溫 VDRM-...
TLP3042(S)TLP3042(S)為零電壓導通,高隔離電壓,可用RoHS兼容產品(S)的電子設備。產品概要 產品規格 絕對最大額定值 電氣特性
三極體BTA12-600B為雙向可控矽,封裝方式是TO-220,封裝材料為樹脂封裝。基本參數 斷態重複峰值電壓:VDRM(符號) >600(額定值) V(單位)反向重複峰值電壓:VRRM(符號)>600(額定值)V(單位)通態平均電流:IT(符號) 12(額定值) A...