這是指在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態到導通的最低電壓上升率。
斷態電壓臨界上升率
這是指在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態到導通的最低電壓上升率。
這是指在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管從斷態到導通的最低電壓上升率。...... 這是指在額定結溫和門極斷路條件下,使晶閘管從斷態到導通的最低電壓上升...
臨界轉換電壓上升率是驅動高電抗性的負載時,負載電壓和電流的波形間通常發生實質性的相位移動。...
快速晶閘管的動態參數要求為開通速度和導通擴展速度快,反向恢復電荷少,關斷時間短,通態電流臨界上升率(dI/dt)及斷態電壓臨界上升率 (dV/dt)高。通態電流臨界...
IGT--門極觸發電流 di/dt--通態電流臨界上升率 ITSM--通態一個周波不重複浪涌電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率 雙向可控矽伏安特性 編輯 雙向...
2.108 什麼是晶閘管的斷態電壓臨界上升率?2.109 什麼是晶閘管的通態電流臨界上升率?2.110 什麼是晶閘管的正向特性?2.111 什麼是晶閘管的反向特性?...
通態電流臨界上升率是在規定條件下,器件從斷態轉入通態時,對晶閘管不產生有害影響的最大通態電流上升率;斷態電壓臨界上升率是在規定條件下,器件從斷態不致轉向...
最大反嚮導通電壓VTR:<0.8V最大門極觸發電壓VGT:4V最大門極觸發電流IGT:40mA關斷時間toff:2.4μs通態電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態浪涌電流ITSM:80A...
ITSM--通態一個周波不重複浪涌電流VTM--通態峰值電壓IGT--門極觸發電流VGT--門極觸發電壓IH--維持電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率...
30. 換向電流臨界下降率dI/dt31. 換向斷態電壓上升率dU/dt32. 通態電流IT三、常用晶閘管技術數據表9-5 Kp、KK型晶閘管技術數據...
電壓,IH--維持電流,dv/dt--斷態電壓臨界上升率, di/dt--通態電流臨界上升率,Rthjc--結殼熱阻,VISO--模組絕緣電壓,Tjm--額定結溫,VDRM--通態重複峰值電壓,...
斷態電壓臨界上升率 du/dt:是指在額定結溫、門極開路的情況下,不能使晶閘管從斷態到通態轉換的外加電壓最大上升率。通態電流臨界上升率 di/dt:指在規定條件...