斷態電流(off-state current)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:斷態電流
- 外文名:off-state current
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
斷態電流(off-state current)是1998年公布的電氣工程名詞。
斷態電流(off-state current)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電氣工程名詞》第一版。1...
門極不觸發電流 門極不觸發電流是1998年公布的電力名詞。定義 不致使閥從斷態轉至通態的最大門極電流。
它是用半導體器件代替傳統電接點作為切換裝置的具有繼電器特性的無觸點開關器件,單相SSR為四端有源器件,其中兩個輸入控制端,兩個輸出端,輸入輸出間為光隔離,輸入端加上直流或脈衝信號到一定電流值後,輸出端就能從斷態轉變成通態。
最理想的軟關斷過程:電流先下降到零,電壓再緩慢上升到斷態值,所以關斷損耗近似為零。由於器件關斷前電流已下降到零,即線路電感中電流亦為零,所以感性關斷問題得以解決。軟開關包括軟開通和軟關斷:軟開通有零電流開通和零電壓開通兩種...
也可以說是在額定結溫和規定測試條件下,元件反向最高測試電壓(反向漏電流急劇增加,即反向特性曲線開始彎曲時的電壓)。反向不重複峰值電壓略小於斷態正向不重複峰值電壓。相互關係 斷態重複峰值電壓和反向重複峰值電壓在數值上一般很相近...
晶閘管最重要的特徵是正嚮導通的可控性。當晶閘管的陽極與陰極間加上正向電壓時,在陰極與控制極之間加上合適的觸發電壓與電流,晶閘管就斷態轉為通態。向晶閘管供給觸發電壓、電流的電路,叫做觸發電路。觸發信號可以用交流電壓、直流電壓...
通態電流 Ids 可用下式表示: Ids=(1+Bpnp)Imos 式中Imos ——流過 MOSFET 的電流。 由於N+區存在電導調製效應,所以IGBT的通態壓降小,耐壓1000V 的IGBT通態壓降為2~3V 。 IGBT處於斷態時,只有很小的泄漏電流存在。 動態特性...
TLP668JF(S)零電壓導通,低觸發電流,爬電距離和電氣間隙8毫米 產品概要 產品規格 絕對最大額定值 電氣特性
IDRM--斷態重複峰值電流 ITSM--通態一個周波不反覆浪涌電流 VTM--通態峰值電壓 IGT--門極觸發電流 VGT--門極觸發電壓 IH--維持電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率 di/dt--通態電流臨界上升率 Rthjc--結殼熱阻 VISO--模組絕緣...
由於N+ 區存在電導調製效應,所以IGBT 的通態壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處於斷態時,只有很小的泄漏電流存在。動態特性 IGBT 在開通過程中,大部分時間是作為MOSFET 來運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程...
電流 ⒈ 額定通態電流(IT)即最大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控矽的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重複峰值電壓(VRRM)或斷態重複峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控矽的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。⒊ 控制極觸發電流(...
TLP3063F(S)TLP3063F(S)是一款東芝旗下的電源,重複峰值斷態電壓最大值是600V。產品介紹 產品規格 絕對最大額定值 電氣特性
同時的,諧振過程限制了開關過程中電壓和電流的變化率,這使得開關噪聲也顯著減小。這樣的電路被稱為軟開關電路,而這樣的開關過程也被稱為軟開關(Soft-Switching)。理想的軟關斷過程是電流先降到零,電壓再緩慢上升到斷態值,所以關斷...
TLP3061F(S)TLP3061F(S)是一款重複峰值斷態電壓為600V,工作溫度為100攝氏度的電子產品。產品簡介 產品規格 絕對最大額定值 電氣特性
快速晶閘管的動態參數要求為開通速度和導通擴展速度快,反向恢復電荷少,關斷時間短,通態電流臨界上升率(dI/dt)及斷態電壓臨界上升率(dV/dt)高。通態電流臨界上升率是在規定條件下,器件從斷態轉入通態時,對晶閘管不產生有害影響的最...
最理想的軟關斷過程是電流先下降到零,電壓再緩慢上升到斷態值,所以關斷損耗近似為零。由於器件關斷前電流已下降到零,即線路電感中電流亦為零,所以感性關斷問題得以解決。由此可見,軟開關技術可以解決硬開關PWM變換器開關損耗問題、容...
快速晶閘管的動態參數要求為開通速度和導通擴展速度快,反向恢復電荷少,關斷時間短,通態電流臨界上升率(dI/dt)及斷態電壓臨界上升率 (dV/dt)高。通態電流臨界上升率是在規定條件下,器件從斷態轉入通態時,對晶閘管不產生有害影響的...