門極不觸發電流是1998年公布的電力名詞。
中文名稱 | 門極不觸發電流 |
英文名稱 | gate non-trigger current |
定 義 | 不致使閥從斷態轉至通態的最大門極電流。 |
套用學科 | 電力(一級學科),高壓直流輸電(二級學科) |
基本介紹
- 中文名:門極不觸發電流
- 外文名:gate non-trigger current
- 所屬學科:電力
- 公布年度:1998年
- 出處:《電力名詞》
門極不觸發電流是1998年公布的電力名詞。
中文名稱 | 門極不觸發電流 |
英文名稱 | gate non-trigger current |
定 義 | 不致使閥從斷態轉至通態的最大門極電流。 |
套用學科 | 電力(一級學科),高壓直流輸電(二級學科) |
門極不觸發電流是1998年公布的電力名詞。定義不致使閥從斷態轉至通態的最大門極電流。...
門極不觸發電壓 不致使閥從斷態轉至通態的最大門極電壓。中文名稱:門極不觸發電壓;英文名稱:gatenon-triggervoltage;
門極關斷電流 門極關斷電流(gate turn-off current)是1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。發布時間 1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。出處 《電氣工程名詞》
1、觸發信號應有足夠的觸發電壓和觸發電流。觸發電壓和觸發電流應能使合格元件都能可靠地觸發。由於同一型號的晶閘管其觸發電壓、觸發電流並不一樣,同一元件在不同的溫度下的觸發電壓與電流也不一樣,為了保證每個晶閘管都能可靠觸發,所...
如果在陽極加正向電壓時,門極加上正向觸發電流,GTO就導通。在導通的情況下,門極加上足夠大的反向觸發脈衝電流,GTO就由導通轉為阻斷。它的一些性能雖然比絕緣柵雙極電晶體、電力場效應管差,但其具有一般晶閘管的耐高壓、電流容量大...
擎住電流的定義是在一個10μs的觸發脈衝的末尾能使晶閘管安全轉入導通模式,並且此門極信號歸零後還能安全的維持導通狀態的最小電流。從定義可知,擎住電流下器件處於通態,此時器件內部的反饋過程能夠維持。因此可以利用PIN二極體的導通...
門極反向電流 門極反向電流(reverse gate current)是1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。發布時間 1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。出處 《電氣工程名詞》
特別是利用單板機或單片機構成的變流器的直接數字控制系統,充分發揮了微機的功能,不但具有同步認相、移相控制和向晶閘管門極輸出觸發信號的數字觸發器功能,還同時具有起動、停止、電流調節、保護等系統的功能。將相控觸發電路的重要基本...
一般選取其通態平均電流為按此原則所得計算結果的1.5-2倍。其他參數符號 IT(AV)--通態平均電流,VRRM--反向重複峰值電壓,IDRM--斷態重複峰值電流,ITSM--通態一個周波不重複浪涌電流,VTM--通態峰值電壓,IGT--門極觸發電流,...
當電源電壓接近梯形波的頂部時,振盪電路開始工作,當電容充電使兩端的電壓達到單結電晶體峰點電壓Vp時,單結電晶體導通電容放電,放電電流流過R1與被觸發晶閘管的門極的並聯電路形成輸出,為晶閘管提供觸發脈衝,使晶閘管導通。然後電路進入...
門極正向電流 門極正向電流(forward gate current)是1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。發布時間 1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。出處 《電氣工程名詞》
門極正向峰值電流 門極正向峰值電流(peak forward gate current)是1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。發布時間 1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布的電氣工程名詞。出處 《電氣工程名詞》
這是由於普通可控矽在導通之後即外於深度飽和狀態,而GTO在導通後只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益,βoff,它等於陽極最大可關斷電流IATM與門極最大負向電流IGM之比,有公式:...
另外,因為可關斷晶閘管導通壓降較大(2~3V),門極觸發電流較大(20mA左右),所以可關斷晶閘管的導通功耗與門極功耗均較普通單向晶閘管大。主要參數 GTO的基本參數與普通晶閘管大多相同,不同的主要參數敘述如下。(1)最大可關斷陽極電流...
若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig 從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2)) (1—1)矽PNP管和矽NPN管相應的電流放大係數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化。當晶閘管承受正向陽極電壓,而...
在門極電路的設計中,還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發等問題(見表1)。表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關係 由於IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化,因而驅動電路性能的好壞將直接...
1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重複加在可控矽兩端的正向峰值電壓。可控矽...
③驅動電源絕緣電壓至少是IPM極間反向耐壓值的兩倍(2Vces)。④驅動電流可以參閱器件給出的20kHz驅動電流要求,根據實際的開關頻率加以修正。⑤驅動電路輸出端濾波電容不能太大,這是因為當寄生電容超過100pF時,噪聲干擾將可能誤觸發內部...
IT(AV)--通態平均電流 VRRM--反向反覆峰值電壓 IDRM--斷態重複峰值電流 ITSM--通態一個周波不反覆浪涌電流 VTM--通態峰值電壓 IGT--門極觸發電流 VGT--門極觸發電壓 IH--維持電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率 di/dt--通態...
例如隔離柵電晶體,既具有MOS功率場效應電晶體的柵控特性,又具有雙極型功率電晶體的電流傳導性能,它容許的電流密度比雙極型功率電晶體高几倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優點,結構上避免了一般晶閘管在門極觸發時必須在門極...