可關斷可控矽GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦稱門控可控矽。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時可控矽能自行關斷。
基本介紹
- 中文名：可關斷可控矽
- 外文名：Gate Turn-Off Thyristor
- 性質：可控矽
- 屬性：可關斷
簡介,估測關斷增益βoff的方法,注意事項：,
簡介
可關斷可控矽GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦稱門控可控矽。其主要特點為，當門極加負向觸發信號時可控矽能自行關斷。
普通可控矽（SCR）靠門極正信號觸發之後，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低於維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和噪聲。可關斷可控矽克服了上述缺陷，它既保留了普通可控矽耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型電晶體（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷可控矽已廣泛用於斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。
儘管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由於普通可控矽在導通之後即外於深度飽和狀態，而GTO在導通後只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等於陽極最大可關斷電流IATM與門極最大負向電流IGM之比，有公式：βoff =IATM/IGM
βoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。
估測關斷增益βoff的方法
1. 判定GTO的電極
將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，僅當黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值，對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。
2. 檢查觸發能力
首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然後用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，錶針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；最後脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。
3. 檢查關斷能力
現採用雙表法檢查GTO的關斷能力，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥於R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。
4. 估測關斷增益βoff
進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。最後根據讀取電流法按下式估算關斷增益：
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2
式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例係數；
K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例係數。
βoff≈10×n1/ n2
此式的優點是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的錶針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。
