基本介紹
- 中文名:反向阻斷晶閘管
- 類別:晶閘管
反向阻斷晶閘管,可以在400Hz以上頻率工作的晶閘管。視電流容量大小,其開通時間為4~8微秒,關斷時間為10~60微秒。主要用於較高頻率的整流、斬波、逆變和變頻電路。介紹快速晶閘管是一個PNPN四層三端器件,其符號與普通...
普通晶閘管一般就是逆阻晶閘管。它是一種對開關時間等瞬態參數沒有特別要求,主要用於工頻的反向阻斷三端晶閘管。不僅可用於交流頻率400Hz以下的弱電領域作控制元件,更適用於強電領域作執行元件,廣泛套用於電力、機械、冶金、化工、交通、...
反向阻斷二極晶閘管 反向阻斷二極晶閘管(reverse blocking diode thyristor)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
反向阻斷三極晶閘管測試方法 《反向阻斷三極晶閘管測試方法》是2013年9月1日實施的一項行業標準。起草人 蔚紅旗、吳擁軍等。起草單位 西安電力電子技術研究所、湖北台基半導體股份有限公司等。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重複加在可控矽兩端的正向峰值電壓。可控矽承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控矽加反向電壓,...
在反向恢復時間內,陽極電流實際上反向流通,此時晶閘管(SV)仍處於低阻狀態,並且正向壓降仍然很小。在時間t後,SV開始呈現反向阻斷阻抗,並逐步承受反向陽極電壓。反向恢復效應有很重要的意義,處於導通狀態下的矽元件,體內有存儲截流子...
《新型晶閘管數據手冊》是2010年科學出版社出版的圖書,作者是張慶雙。內容簡介 《新型晶閘管數據手冊》是“速查速用半導體數據手冊”叢書之一,《新型晶閘管數據手冊》彙編了新型、常用晶閘管[包括普通型反向阻斷晶閘管(SCR)、快速晶閘管、...
晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連線,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連線,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1.晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都...
由三個PN結(PN-PN四層)構成.器件的外引線有陰極、陽極、控制極三個電極,典型大電流可控矽整流器的示意剖面見圖.器件的反向特性(陽極接負)和PN結二極體的反向特性相似;其正向特性,在 一定範圍內器件處於阻抗很高的關閉狀態(正向阻斷...
門極可關斷晶閘管是一種具有自關斷能力和晶閘管特性的晶閘管。如果在陽極加正向電壓時,門極加上正向觸發電流,GTO就導通。在導通的情況下,門極加上足夠大的反向觸發脈衝電流,GTO就由導通轉為阻斷。它的一些性能雖然比絕緣柵雙極電晶體...
反向重複峰值電壓 反向重複峰值電壓是晶閘管元件的主要參數之一,用Urrm表示。在額定結溫和門極開路情況下,允許重複加在陽極和陰極之間的反向峰值電壓。它反映了阻斷狀態下晶閘管能承受的反向電壓。該電壓取反向不重複峰值電壓的80%。斷態...
從晶閘管的內部分析工作過程:晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極體和一個NPN型三極體的複合管.當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去...
在額定結溫(100A以上為115℃,50A以下為100℃),門極開路和晶閘管正向阻斷的條件下,允許重複加在陽極與陰極間的最大正向峰值電壓。它反映了阻斷條件下晶閘管能承受的正向電壓。反向不重複峰值電壓 反向不重複峰值電壓是晶閘管元件的主要...
轉折二極體又稱為反向阻斷二端晶閘管或者Shockley二極體,它是一種能夠正向開關工作的單向開關二極體。在正向電壓達到額定值時,能夠實現轉折導通。構成 轉折二極體是由四層(p,n,p,n)、三個p-n結(j1,j2,j3)串聯構成的,如圖1...
反向特性 其伏安特性類似二極體的反向特性。 晶閘管處於反向阻斷狀態時,只有極小的反向漏電流通過。 當反向電壓超過一定限度,到反向擊穿電壓後,外電路如無限制措施,則反向漏電流急劇增大,導致晶閘管發熱損壞。
正向阻斷 當柵極和發射極短接並在集電極端子施加一個正電壓時,P/NJ3結受反向電壓控制。此時,仍然是由N漂移區中的耗盡層承受外部施加的電壓。閂鎖 IGBT在集電極與發射極之間有一個寄生PNPN晶閘管。在特殊條件下,這種寄生器件會導通。這...
7.9.2 反向二次擊穿 7.9.3 安全工作區的界限 7.10達林頓結構 7.11小結 習題 參考文獻 第8章 晶閘管 8.1 功率晶閘管結構和工作特性 8.2 阻斷特性 8.2.1 反向阻斷能力 8.2.2 正向阻斷能力 8.2.3 陰極短路 8.2.4 ...
第5章晶閘管89 5.1晶閘管的結構和工作原理89 5.2觸發條件91 5.3靜態伏安特性91 5.4正向阻斷模式和亞穩態區域92 5.5晶閘管擎住狀態95 5.6反向阻斷狀態下的晶閘管98 5.7開通特性100 5.8關斷特性106 第6章門極關斷(GTO)...
雙向開關管就是正向伏安特性與反向伏安特性對稱、並且正向和反向都具有負阻的一種半導體開關器件;它在正向和反向工作時都具有開和關的兩個狀態。基本介紹 這種器件屬於晶閘管之列。眾所周知的SCR(可控矽整流器)也是一種晶閘管,但這是...
(就像IGBT也寄生著一個晶閘管一樣)。這幾個方面,是研究MOSFET動態特性很重要的因素。首先MOSFET結構中所附帶的本徵二極體具有一定的雪崩能力。通常用單次雪崩能力和重複雪崩能力來表達。當反向di/dt很大時,二極體會承受一個速度非常快的...
{{分頁}} 在UCE為負值的反壓下,其特性曲線類似於三極體的反向阻斷特性。 為了使IGBT安全運行,它承受的外加壓、反向電壓應小於圖1(c)中的正、反向折轉擊穿電壓。 (2) 轉移特性:是圖1(d)所示的集電極電流Ic與柵極電壓UG...
第6章 晶閘管及可控整流電路 6-1 什麼是晶閘管?它有哪些用途?6-2 晶閘管的基本結構是怎樣的?6-3 晶閘管在何種情況下反向阻斷和正向阻斷?6-4 晶閘管在何種情況下導通?6-5 晶閘管導通後如何關斷?6-6 晶閘管的靜態特性(伏安特性...