《應力對FeCoSiB非晶磁彈性薄膜磁特性影響的研究》是依託電子科技大學,由彭斌擔任醒目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：應力對FeCoSiB非晶磁彈性薄膜磁特性影響的研究
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：彭斌
- 負責人職稱：教授
- 批准號：50501004
- 申請代碼：E0107
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：27（萬元）
項目摘要
本項目針對非晶磁彈性薄膜中應力對其磁特性的顯著影響作用及由此帶來的應力相關效應，擬從理論上定量地建立較為符合實際的大應力/應變情形下非晶磁彈性薄膜的微磁學唯象模型，研究磁特性如Hc、Br、疇結構、反磁化過程與應力的內在聯繫，以及薄膜材料參數對應力相關效應的影響規律。同時，通過設計基片/叉指電極/PZT薄膜/FeCoSiB非晶磁彈性薄膜 結構的多層膜驗證性實驗，研究FeCoSiB非晶磁彈性薄膜的磁特性與外加應力的變化關係，通過磁疇結構的分析，將外加應力、磁特性、磁疇結構有機聯繫起來，以驗證微磁學計算結果，並完善微磁學計算，最終獲得對非晶磁彈性薄膜中應力作用及相關效應的深刻理解，支持基於應力相關效應的非晶磁彈性薄膜材料製備及薄膜器件研製。
