微電子工藝(哈爾濱工業大學提供的慕課課程)

《微電子工藝》是哈爾濱工業大學提供的慕課課程，授課老師是王蔚、田麗。

課程概述

微電子工藝全面系統地介紹了微電子工藝基礎知識，重點闡述晶片製造單項工藝：外延、熱氧化、擴散、離子注入、化學汽相澱積、物理汽相澱積、光刻、腐蝕的原理、方法、用途，以及所依託的物理化學基礎知識。介紹金屬互連、典型工藝集成、關鍵工藝設備，以及微電子工藝未來發展趨勢。

基本介紹

• 中文名：微電子工藝
• 類別：慕課
• 提供院校：哈爾濱工業大學
• 授課老師：王蔚、田麗

課程大綱

第一講 介紹緒論與第1章 矽片的製備

緒論：1、 微電子工藝是講什麼的？

2、 微電子工藝的發展歷程如何？

3、 微電子工藝有什麼特點？

4、半導體單晶矽有什麼特性？

第1章 矽片的製備

1.1多晶矽製備；1.2單晶生長-CZ法

1.2單晶生長-機理

1.2單晶生長-摻雜

1.2單晶生長-MCZ與FZ法

1.3矽片製備

第一講 作業

第二講 介紹第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延層缺陷及檢測共五節內容

2.1 外延概述

2.2 汽相外延

2.3 分子束外延

2.4 其它外延方法

2.5 外延層缺陷及檢測

第二講 作業

第三講，介紹第3章 熱氧化，包括：SiO2薄膜概述、矽的熱氧化、初始氧化階段及薄氧化層製備等6節內容

3.1 二氧化矽薄膜概述

3.2 矽的熱氧化

3.3 初始氧化階段及薄氧化層製備

3.4 熱氧化過程中的雜質再分布

3.5 氧化層的質量及檢測

3.6 其它氧化方法

第三講 作業

第四講 介紹第4章 擴散，包括：擴散機構、晶體中擴散的基本特點及巨觀動力學方程、雜質的擴散摻雜等共7節內容。

4.1 擴散機構

4.2 晶體中擴散的基本特點及巨觀動力學方程

4.3 雜質的擴散摻雜

4.4 熱擴散工藝中影響雜質分布的其他因素

4.5 擴散工藝條件與方法

4.6 擴散工藝質量與檢測

4.7 擴散工藝的發展

第四講 作業

第五講 介紹第5章 離子注入，包括：離子注入原理、注入離子在靶中的分布、注入損傷等，共八節內容

5.1 概述

5.2 離子注入原理

5.3 注入離子在靶中的分布

5.4 注入損傷

5.5 退火

5.6 離子注入設備與工藝

5.7 離子注入的其它套用

5.8 離子注入與熱擴散比較及摻雜新技術

第五講 作業

期中測驗

第六講，介紹第6章 化學汽相澱積，包括：CVD概述，CVD工藝原理、方法，二氧化矽薄膜澱積等共七節內容。

6.1 CVD概述

6.2 CVD工藝原理

6.3 CVD工藝方法

6.4 二氧化矽薄膜的澱積

6.5 氮化矽薄膜澱積

6.6 多晶矽薄膜的澱積

6.7 CVD金屬及金屬化合物薄膜

第六講 作業

第七講 介紹第7章物理汽相澱積，包括PVD概述、真空系統及真空的獲得、真空鍍鋁等五節內容

7.1 PVD概述

7.2 真空系統及真空的獲得

7.3 真空蒸鍍

7.4 濺射

7.5 PVD金屬及化合物薄膜

第七講 作業

第八講 介紹第8章 光刻工藝，包括光刻概述，光刻工藝流程以及光刻技術等8節內容。

8.2 基本光刻工藝流程

8.3 光刻掩膜板製造技術

8.4 光刻膠

8.5 紫外曝光技術

8.6 光刻增強技術

8.7 其它曝光技術

8.8 光刻新技術展望

8.1 光刻概述

第八講 作業

第九講 介紹第九章 刻蝕技術 包括：刻蝕技術概述、濕法刻蝕技術、乾法刻蝕技術及常用薄膜的刻蝕等共5節內容。

9.1 刻蝕技術--概述

9.2 刻蝕技術 -- 濕法刻蝕技術

9.3 刻蝕技術-- 乾法刻蝕技術

9.4 SiO2薄膜的乾法刻蝕技術

9.5 刻蝕技術-- 多晶矽等其它薄膜的乾法刻蝕技術

第九講 作業

第十講 介紹典型工藝集成，包括金屬化、隔離技術，以及CMOS電路、雙極型電路工藝。

10.1--1 工藝集成--金屬化與多層互連

10.1--2 工藝集成--金屬化與多層互連--尖楔現象

10.2 工藝集成--積體電路中的隔離技術

10.3 CMOS積體電路的工藝集成

10.4 雙極型積體電路的工藝集成

結語 我的中國芯

第十周作業

預備知識

大學物理，大學化學