帕爾帖原理，該效應是在1834年由J.A.C帕爾帖首先發現的。即利用當兩種不同的導體A和B組成的電路且通有直流電時，在接頭處除焦耳熱以外還會釋放出某種其它的熱量，而另一個接頭處則吸收熱量，且帕爾帖效應所引起的這種現象是可逆的，改變電流方向時，放熱和吸熱的接頭也隨之改變，吸收和放出的熱量與電流強度I[A]成正比，且與兩種導體的性質及熱端的溫度有關，即： Qab=Iπab
基本介紹
- 中文名：帕爾帖原理
- 時間：1834年
- 人物：J.A.C帕爾帖
- 類型：原理
簡介,其他信息,
簡介
πab稱做導體A和B之間的相對帕爾帖係數 ，單位為[V], πab為正值時，表示吸熱，反之為放熱，由於吸放熱是可逆的，所以πab=－πab
帕爾帖係數的大小取決於構成閉合迴路的材料的性質和接點溫度，其數值可以由賽貝克係數αab[V.K-1]和接頭處的絕對溫度T[K]得出πab=αabT與塞貝克效應相，帕爾帖系也具有加和性，即：
Qac=Qab+Qbc=(πab+πbc)I
其他信息
因此絕對帕爾帖係數有πab=πa－ πb
金屬材料的帕爾帖效應比較微弱，而半導體材料則要強得多，因而得到實際套用的溫差電製冷器件都是由半導體材料製成的。
帕爾帖(Peltier)效應的物理原理為：電荷載體在導體中運動形成電流，由於電荷載體在不同的材料中處於不同的能級，當它從高能級向低能級運動時，就會釋放出多餘的熱量。反之，就需要從外界吸收熱量（即表現為製冷）。
半導體電子製冷又稱熱電製冷，或者溫差電製冷，它是利用"帕爾帖效應"的一種製冷方法，與壓縮式製冷和吸收式製冷並稱為世界三大製冷方式。
