器件隔離

積體電路製造需要某種隔離工藝將單個器件隔離開來。因為半導體積體電路是在同一塊半導體矽片上，通過平面工藝技術製造許多元件和器件（如電阻、電容、二極體、三極體等），並按需要將它們連線在一起，形成具有一定功能的電路。這些元件和器件所處的電位不同，相互之間必須絕緣隔離，否則半導體本身的電導將這些元件相互連通，就不可能在一個單晶片上製作積體電路。為此，必須設法使它們在電性能方面隔離開來，這就是隔離工藝所要達到的目的。衡量隔離工藝模組的指標有：密度、工藝複雜度、成品率、平坦化程度和寄生效應。在這些指標間存在著折中。常用的器件隔離方法有PN結隔離、LOCOS隔離、溝槽隔離。

基本介紹

• 中文名：器件隔離
• 外文名：Device Isolation

PN結隔離

pn結隔離是積體電路生產中比較常用的方法，特別是在一些無特殊要求的小規模積體電路中。它是利用pn結反向偏置時呈高電阻性，來達到各元件互相絕緣隔離的目的。實現隔離有多種方法，但用得最多的還是一次外延、二次擴散pn結隔離工藝，簡稱標準pn結隔離或pn結隔離。

圖1 PN結隔離工藝

為了實現pn結隔離，襯底材料必須選用p型單晶，以便和n型外延層之間形成pn結。這一pn結擊穿電壓的大小主要取決於襯底電阻率的高低。從提高擊穿電壓和減小隔離結寄生電容考慮，襯底的電阻率高一點好。但選得過高，在長時間的隔離擴散中，會增加外延層向襯底的推移，使隔離時間加長。同時高阻的單晶較貴，因此電阻率不能取得太高，在一般電路中為8到13歐姆厘米。為了得到平坦均勻的擴散結面，還應選用 晶向的矽單晶。厚度一般為300到350微米，應選用位錯密度較低（一般應小於3000個/平方厘米），有害雜質少的矽單晶片。

LOCOS隔離

傳統的矽局部氧化(Local Oxidation of Sillicon, LOCOS)隔離技術是利用光刻刻蝕技術在矽基板上的氮化矽上開出氧化視窗，利用氮化矽的掩模作用在大約1000攝氏度的高溫下對沒有氮化矽覆蓋的場區進行氧化。氧化後氧化層表面將高出矽基板表面，高度大約是氧化膜厚度的55%，形成一定程度的不平坦表面，給後續工藝帶來不利影響。再者，氧化生長時，橫向的氧化生長將向器件的有源區延伸，形成所謂的“鳥嘴”現象。“鳥嘴”的出現，不但占據了一定的有源區面積，而且在極小尺寸下，使得漏電流問題越來越突出，極大地影響到器件的性能。

圖2 LOCOS隔離的鳥嘴效應

溝槽隔離

溝槽(Shallow Trench Isolation, STI)隔離技術起源於80年代，由於它的高成本和工藝的不成熟性，直到最近一兩年才被人們所接受。該工藝是一種完全平坦的、完全無“鳥嘴”現象的新型隔離技術。其工藝流程如圖3所示,隔離技術完全迴避了高溫工藝；嚴格保證器件有源區的面積；矽基板表面與隔離介質表面完全在同一平面上；改善了最小隔離間隔和結電容。同時，低溫工藝也可以潛在地增加產量，降低成本。這些優點使得STI隔離成為深亞微米時代器件不可或缺的隔離技術。STI隔離主要適應極小尺 寸器件對極小特徵尺寸、器件可靠性的要求。在 極小尺寸下，要求場區和有源區的面積非常小； 同時，對器件的漏電流也極為敏感。STI隔離工藝 主要有以下各關鍵工藝：氧化和氮化矽生長、溝壑光刻刻蝕、HDP High Density Plasma，高密度電漿、二氧化矽生長、二氧化矽（CMP Chemical Mechanical Planarization）、氮化矽去除 等工藝步驟。

圖3 溝槽隔離工藝步驟