反應濺射是指在存在反應氣體的情況下,濺射靶材時,靶材會與反應氣體反應形成化合物(如氮化物或氧化物),在惰性氣體濺射化合物靶材時由於化學不穩定性往往導致薄膜較...
磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,PVD)的一種。一般的濺射法可被用於製備金屬、半導體、絕緣體等多材料,且具有設備簡單、易於控制、鍍膜面積大和附著...
濺射對於遠程有彈道英雄就像分裂斬對於近戰英雄,它和分裂斬有相似也有不同的地方。最大的不同在於AoE在彈道擊到的目標處決定,而不是分裂斬由攻擊者站立的地方確定...
濺射方法是一種利用濺射原理及技術處理加工材料表面的現代技術方法。濺射,也稱陰極濺射,其基本原理是:在直流或射頻高壓電場的作用下利用形成的離子流轟擊陰極靶材料...
磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓,在鍍膜室內產生磁控型異常輝光放電,使氬氣發生電離。...
反應性真空濺射reactivevacuumsputtering:通過與氣體的反應獲得理想化學成分的膜層材料的真空濺射。...
等離子濺射(plasma sputtering)物質除固態、液態和氣態之外,還有第四態,即等離子態。在外界高能作用下,分子或原子被離解成陽離子及同等數量的陰離子或電子,這一總體...
離子濺射鍍膜法是離子濺射形成干涉膜是增進相間襯度顯示組織的新方法。...... 由於濺射時,濺射室中所填充的氣體和陰極濺射原子的作用不同,因而有中性濺射和反應濺射...
其它有偏壓濺射、反應濺射、離子束濺射等鍍膜技術。 [1] 濺鍍濺鍍機設備與工藝 編輯 濺鍍設備 濺鍍機由真空室,排氣系統,濺射源和控制系統組成。濺射源又分為...
濺射靶材的要求較傳統材料行業高,一般要求如,尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制;較高要求或特殊要求包含:表面粗糙度、電阻...
真空磁控濺射技術是指一種利用陰極表面配合的磁場形成電子陷阱,使在E×B的作用下電子緊貼陰極表面飄移。設定一個與靶面電場正交的磁場,濺射時產生的快電子在正交的...
磁致濺射儀是套用於各種金屬薄膜的濺射蒸鍍儀器,在惰性氣體或者活性氣體中在陽極和陰極蒸發材料間加上幾百伏的直流電壓,使之產生輝光放電,放電中的離子碰撞到陰極的...
不同方法製備的Y₂O₃薄膜的相對介電常數不同,電子束蒸發的為11,高頻濺射的為11,陽極氧化的為17.1,反應濺射的為15。氧化釔介質薄膜製備方法 編輯 Y₂O...
鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統在適當工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話,靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料,...
(1)直流濺射;(2)射頻濺射;(3)磁控濺射;(4)反應濺射。磁控濺射法是在高真空充入適量的氬氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極鍍膜室壁之間施加直流電壓,在鍍膜...
乾腐蝕是指在沒有水(包括但不限於液體水,水溶液或水蒸氣)接觸的情況下,引起的腐蝕或者氧化現象,即指等離子腐蝕,主要包括電漿腐蝕、離子銑蝕、濺射腐蝕、反應...