半導體存儲器

半導體存儲器

半導體存儲器(semi-conductor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器記憶體儲器就是由稱為存儲器晶片的半導體積體電路組成。按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱RAM)和唯讀存儲器(唯讀ROM)。體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。

基本介紹

  • 中文名:半導體存儲器
  • 外文名:semi-conductor memory
  • 優點:體積小、存儲速度快
  • 功耗:動態功耗、靜態功耗
分類,主要特點,主要用途,技術指標,

分類

按功能分類
按其功能可分為:隨機存取存儲器(簡稱RAM)和唯讀存儲器(唯讀ROM)
RAM包括DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器),當關機或斷電時,其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存(記憶體的主體部分),SRAM主要用於高速快取存儲器
ROM 主要用於BIOS存儲器。
按製作工藝分類
可分為:雙極電晶體存儲器MOS電晶體存儲器。
按存儲原理分類
可分為:靜態和動態兩種。

主要特點

優點
體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路接口容易。
缺點
和磁芯存儲器不同的是,半導體存儲器屬於易失性存儲器(Volatile Memory),在電源中斷時會使數據消失,如RAM(Random Access Memory)。

主要用途

技術指標

主要有:
1. 存儲容量:存儲單元個數M×每單元位數N
2. 存取時間:從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間
3. 存取周期:兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間
4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性)
5. 功耗:動態功耗、靜態功耗

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