唯讀存儲器（英語：Read-Only Memory，簡稱：ROM）。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定 ，斷電後所存數據也不會改變；其結構較簡單，讀出較方便，因而常用於存儲各種固定程式和數據。
除少數品種的唯讀存儲器（如字元發生器）可以通用之外，不同用戶所需唯讀存儲器的內容不同。為便於使用和大批量生產，進一步發展了可程式唯讀存儲器（PROM）、可擦可程式序唯讀存儲器（EPROM）和帶電可擦可程式唯讀存儲器（EEPROM）。例如早期的個人電腦如Apple II或IBM PC XT/AT的開機程式（作業系統）或是其他各種微電腦系統中的軔體（Firmware）。
基本介紹
- 中文名：唯讀存儲器
- 外文名：Read-Only Memory
- 簡稱：ROM
特點,種類,使用範圍,工作原理,
特點
唯讀存儲器的特點是只能讀出不能隨意寫入信息，在主機板上的ROM裡面固化了一個基本輸入/輸出系統，稱為BIOS（基本輸入輸出系統）。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模組的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程式及引導作業系統。
種類
ROM
唯讀記憶體（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的記憶體。在製造過程中，將資料以一特製光罩（mask）燒錄於線路中，其資料內容在寫入後就不能更改，所以有時又稱為“光罩式唯讀記憶體”（mask ROM）。此記憶體的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動。
CDROM
CDROM可程式唯讀存儲器
可程式唯讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可程式一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。
PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程式和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。例如，雙極性PROM有兩種結構：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結擊穿型。它們只能進行一次性改寫，一旦編程完畢，其內容便是永久性的。由於可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。
可程式可擦除唯讀存儲器
可程式可擦除唯讀存儲器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡稱：EPROM）可多次編程。這是一種便於用戶根據需要來寫入，並能把已寫入的內容擦去後再改寫，即是一種多次改寫的ROM。由於能夠改寫，因此能對寫入的信息進行校正，在修改錯誤後再重新寫入。
擦除遠存儲內容的方法可以採用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重複使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。
一次編程唯讀記憶體
一次編程唯讀記憶體（One Time Programmable Read Only Memory，OPTROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設定透明窗。
電子可擦除可程式唯讀存儲器
電子可擦除可程式唯讀存儲器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
閃速存儲器
閃速存儲器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點，又有RAM的特點，因而是一種全新的存儲結構。
使用範圍
ROM-Read Only Memory唯讀存儲器。斷電後信息不丟失，如計算機啟動用的BIOS晶片。存取速度很低，（較RAM而言）且不能改寫。由於不能改寫信息，不能升級，現已很少使用。
EPROM,EEPROM,Flash ROM(NOR Flash 和 NADN Flash)，性能同ROM，但可改寫，一般讀比寫快，寫需要比讀高的電壓，（讀5V寫12V）但Flash可以在相同電壓下讀寫，且容量大成本低，如隨身碟MP3中使用廣泛。在計算機系統里，RAM一般用作記憶體，ROM用來存放一些硬體的驅動程式，也就是固件。
工作原理
地址解碼器根據輸入地址選擇某條輸出(稱字線)，由它再去驅動該字線的各位線，以便讀出字線上各存儲單元所儲存的代碼。下圖a是以熔絲為存儲元件的8×4ROM(通常以“字線×位線”來表示存儲器的存儲容量)的原理圖。它以保留熔絲表示存入的是“0”，以熔斷熔絲表示存入的是“1”。例如，存入字1的是“1011”。在ROM中，一般都設定片選端 (也有寫作 的)。當 =0時ROM工作；當 =1，ROM被禁止，其輸出為“1”電平或呈高阻態。 用來擴展ROM的字數。
