《半導體器件物理基礎》是2002年2月北京大學出版社出版的圖書,作者是曾樹榮。
基本介紹
- 作者:曾樹榮
- ISBN:9787301054567
- 頁數:378
- 定價:36.00元
- 出版社:北京大學
- 出版時間:2002-2
《半導體器件物理基礎》是2002年2月北京大學出版社出版的圖書,作者是曾樹榮。
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1983年7月畢業於清華大學無線電電子學系半導體器件與物理專業,獲學士學位。1983年至1986年在總參西安通信學院第二基礎教研室任教,1986年進入西安電子科技大學微電子...
所謂費米能級差,其實並不是一個真正的能級,也就是說,在半導體的能帶中不一定...半導體器件物理基礎[M]. 北京:高等教育出版社, 1983.09. 2. 費維棟.固體...
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當電極電位比平帶電位正時,吸光度不發生變化;偏負時則急劇上升。因為,吸光度開始急劇上升的電位即為納米半導體的平帶電位。參考資料 1. 《半導體器件物理基礎》 ...
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