平帶電壓(Flat band voltage)就是在MOS系統中,使半導體表面能帶拉平(呈平帶狀態)所需要外加的電壓。
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概念
平帶狀態一般是指理想MOS系統中各個區域的能帶都是拉平的一種狀態。對於實際的MOS系統,由於金屬-半導體功函式差φms和Si-SiO2系統中電荷Qf 的影響, 在外加柵極電壓為0 時,半導體表面的能帶即發生了彎曲,從而這時需要另外再加上一定的電壓才能使能帶拉平,這個額外所加的電壓就稱為平帶電壓
平帶電壓計算
1)Vfb1
Vfb1=φms=φg-φf
對於多晶矽柵,高摻雜的情況下,φg≈0.56V,+用於p型柵,-用於n型柵。
φf是相對於本徵費米能級的費米勢。
2)Vfb2
以固定的有效界面電荷Q0來等效所有各類電荷作用,Vfb2=-Q0/Cox。
Cox為單位面積氧化層電容,可用ε0/dox求得。
總結起來,Vfb=φg-φf-Q0/Cox。
關係
如果存在平帶電壓,柵壓超過平帶電壓的有效電壓使得半導體表面出現空間電荷層(耗盡層),然後再進一步產生反型層;故總的閾值電壓中需要增加一個平帶電壓部分。
由於平帶電壓中包含有Si-SiO2系統中電荷Qf 的影響,而這些電荷與工藝因素關係很大,故在製作工藝過程中需要特別注意Na離子等的沾污,以便於控制或者獲得預期的閾值電壓。
平帶電壓測定
對於體相的半導體材料而言,我們可以通過Mott-Schottly公式推算,進行簡化戳通過作圖大體上計算出其平帶電位,但是對於納米級別的半導體材料則主要是通過儀器的直接測定。