區熔(zone melting and refining)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:區熔
- 外文名:zone melting and refining
- 所屬學科:電氣工程
- 公布時間:1998年
區熔(zone melting and refining)是1998年公布的電氣工程名詞。
區熔(zone melting and refining)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電氣工程名詞》第一版。1...
區熔法的分類 區熔法分為兩種:水平區熔法和立式懸浮區熔法。前者主要用於鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長。後者主要用於矽,這是由於矽的熔點高,化學性能活潑, 容易受到異物的玷污,難以找到適合的舟皿,不能採用水平區熔法。區熔法單晶生長 如果需要生長極高純度的矽單晶,其技術選擇首先是懸浮區熔提煉,其次...
區熔夷平是使熔區來回通過材料,從而得到雜質均勻分布的晶錠。區熔法生長晶體有水平區熔和垂直浮帶壓熔兩種形式。 水平區熔法 將原料放入一長舟之中,舟應採用不沾污熔體的材料製成,如石英、氧化鎂、氧化鋁、氧化鈹、石墨等。舟的頭部放籽晶。加熱可以使用電阻爐,也可使用高頻爐。用此法製備單晶時,設備簡單,...
區熔提純 區熔提純(zone refining)是1998年公布的電氣工程名詞,出自《電氣工程名詞》第一版。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
區熔可在保護氣氛(氬、氫)中進行,也可在真空中進行,且可反覆提純(尤其在真空中蒸發速度更快),特別適用於製備高阻矽單晶和探測器級高純矽單晶。此外,區熔法是檢驗多晶矽的純度的手段之一。區域的溫度應略高幹材料的熔點。在材料棒自上而下的移動過程中,被加熱部分經歷了熔化和結晶的過程,最終形成了一個...
區熔生長 區熔生長 (growing by zone melting)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》第一版。
區熔單晶爐 區熔單晶爐是一種用於物理學領域的儀器,於2011年10月10日啟用。技術指標 加熱溫度:1350℃。主要功能 將多晶矽區熔拉製成單晶矽。
主要用於區熔矽的提純和單晶生長,已用於工業生產半導體材料。結構由兩部分組成,即爐室和機械傳動部分以及電氣控制櫃和高頻發生器部分。爐室為一不鏽鋼水套式直立容器,可抽高真空或通入流動氬氣。從爐室頂底端各插入上軸和下軸,上軸下端夾持一根多晶矽棒,下軸頂端夾持一籽晶。爐室中央裝設一單匝高頻加熱線圈。
《寬溫域複合驅動製冷材料高壓區熔凝固過程控制》是依託上海大學,由鄭紅星擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 低成本Heusler型NiMn基磁製冷材料不含稀土和有毒元素,具有廣闊的套用前景,但製冷工作溫區狹窄成為制約其發展的瓶頸。近期發現磁製冷與彈性製冷可以高效耦合併存,但目前研究主要集中在磁製冷,對彈性製冷及...
光學區熔單晶爐 光學區熔單晶爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2010年12月1日啟用。技術指標 最高溫度3000℃,最大直徑6mm,極限壓強5x10^(-5)Torr。主要功能 高溫測量。
熔區 熔區(melting zone)是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
《一種拉制8英寸區熔矽單晶熱系統及工藝》是天津市環歐半導體材料技術有限公司於2011年10月11日申請的專利,該專利的申請號為201110306524X,公布號為CN102321913A,授權公布日為2012年1月18日,發明人是沈浩平、高樹良、張雪囡、王彥君、王岩、王遵義、趙宏波、靳立輝、劉嘉。《一種拉制8英寸區熔矽單晶熱系統及...
《矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法》是2008年中國標準出版社出版的書籍,作者是中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、 中國國家標準化管理委員會。內容簡介 《矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法(GB/T 4059-2007)》是對GB/T 4059—1983《矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法》的修訂。《矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法(GB/T ...
《氫區熔吸除矽片表面納米多孔矽的薄膜修飾》是依託山東師範大學,由薛成山擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 利用自製的氫區熔矽單晶為基礎,通過中照和熱處理製得具有表面完整的吸除矽片,在表面完整層上通過光電化學方法製備出納米吸多孔矽。通過螢光光譜和掃描隧道顯微分析,探討其光致發光或電致發光的物理機制...
《矽多晶真空區熔基硼檢驗方法(GB/T 4060-2007)》是對國家標準GB/T 4060—1983,與其相比,主要變動如下:1、測雜質濃度範圍擴大為0.002×10-9~100×10-9;2、增加了“規範性引用檔案”、“術語”、“允許差”、“計算”;3、將原標準中的第5章“檢驗條件”修訂為“干擾因素”;4、將原標準中的取樣...
(1)水平區熔提純 金屬錠料水平放置在一個長槽容器中,熔區水平通過錠料。(2)懸浮區熔提純 金屬錠垂直放置,不用容器盛裝,錠料兩端固定,錠料加熱時依靠金屬表面張力保持一個狹窄的熔區,金屬以液態懸浮於金屬棒中間,熔區沿錠長自下而上移動通過錠料,使金屬得到提純。熔區的獲得可採用感應加熱或電子束...