光學區熔單晶爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：光學區熔單晶爐
- 產地：日本
- 學科領域：材料科學
- 啟用日期：2010年12月1日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備 > 熱處理加工工藝實驗設備
- 極限壓強：5x10^(-5)Torr
技術指標,主要功能,
技術指標
最高溫度3000℃，最大直徑6mm，極限壓強5x10^(-5)Torr。
主要功能
高溫測量。
光學區熔單晶爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月1日啟用。
光學區熔單晶爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2010年12月1日啟用。技術指標最高溫度3000℃，最大直徑6mm，極限壓強5x10^(-5)Torr。1主要功能高溫測量。1...
區熔單晶爐 區熔單晶爐是一種用於物理學領域的儀器，於2011年10月10日啟用。技術指標 加熱溫度：1350℃。主要功能 將多晶矽區熔拉製成單晶矽。
高溫光學浮區單晶爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2018年06月13日啟用。技術指標 熔區溫度最高2200℃，拉伸尺寸最大100mm，調節速率0.6mm/s，氣體流量0.25~1L/min可控，料棒台尺寸~6，拉升速率0.1~200mm/h，旋轉速率0~150rpm可調。主要功能 光學浮區法是一種垂直的區熔法，區熔法是將一個多...
單晶熔煉爐是一種用於冶金工程技術領域的分析儀器，於2018年12月14日啟用。技術指標 電阻加熱溫度範圍：室溫~1600℃，PID控溫，極限真空度5*10^（-4），壓升率≤0.67Pa/H,通入工作氣氛，氬氣；工作壓力範圍：1.0- 2.0bar；。主要功能 1. 在真空或超純氣氛保護下，採用電阻加熱提拉法製備單晶。 2. 在真...
懸浮區熔單晶爐(float zone crystal growth furnace) 用於懸浮區熔提純與懸浮單晶生長的裝置。主要用於區熔矽的提純和單晶生長，已用於工業生產半導體材料。結構由兩部分組成，即爐室和機械傳動部分以及電氣控制櫃和高頻發生器部分。爐室為一不鏽鋼水套式直立容器，可抽高真空或通入流動氬氣。從爐室頂底端各插入上軸...
在下降坩堝的過程，能精密測溫，控溫的設備中進行。過熱處理的熔體降到稍高於凝固溫度後，下降至低溫區，實現單晶生長，並能繼續保持。3 泡生法：過熱熔體降溫至稍高於熔點，降低爐溫或冷卻籽晶桿，使籽晶周圍熔體過冷，生長晶體。控制好溫度，就能保持晶體不斷生長。4 水平區熔法：盛有結晶物質的坩堝，在帶有...
單晶雷射光纖是指摻有一定濃度激活離子，在某些特定波長光的激勵下能產生雷射的單晶光學纖維。單晶雷射光纖以種類多、雷射譜線窄、量子效率高及多功能為特點。簡介 單晶雷射光纖是指摻有一定濃度激活離子，在某些特定波長光的激勵下能產生雷射的單晶光學纖維。特點 單晶雷射光纖以種類多、雷射譜線窄、量子效率高及多功能...
■鍺單晶產品又包括太陽能級別鍺單晶，紅外級鍺單晶和探測器級鍺單晶 ■紅外級鍺單晶用於製備紅外視窗，紅外鏡頭等光學部件的基礎材料 ■半導體器件用鍺單晶用於製作各類電晶體和太陽能電池用基體材料 ■探測器級鍺單晶用於製備高解析度γ輻射探測儀 製備 ■鍺單晶是以區熔鍺錠為原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度...
公司自1961年研製成功我國第一台單晶爐以來，已定型生產12大系列、近百種型號電子專用設備。它涉及半導體、光學及雷射、化合物、氧化物、氟化物等晶體材料以及多晶矽、合金材料、人工寶石等高科技領域。產品國內市場占有率達70%以上。累計生產各類晶體生長設備3300餘台。先後有多個品種、百十餘台設備遠銷歐、美等地。...
直拉法晶體生長，由丘克拉斯基在1916年首創，利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶，如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔鋁石榴石、尖晶石,以及某些鹼金屬和鹼土金屬的鹵化物等單晶都可以用直拉法生長 (...
晶體的形狀與坩堝的形狀是一致的，大的鹼鹵化合物及氟化物等光學晶體是用這種方法生長的。區熔法 將一個多晶材料棒，通過一個狹窄的高溫區，使材料形成一個狹窄的熔區，移動材料棒或加熱體，使熔區移動而結晶，最後材料棒就形成了單晶棒。這方法可以使單晶材料在結晶過程中純度提得很高，並且也能使摻質摻得很...
2003年研發的JRDL-700型軟軸單晶爐獲得北京市西城區科技進步二等獎，2004年研發的JRDL-800型軟軸單晶爐獲得北京市西城區科技進步一等獎，2005年研發的QR-400區熔高阻單晶矽爐獲得北京市西城區科技進步三等獎。2007年和2008年，JRDL-900型軟軸單晶爐和JZ-660型多晶矽鑄錠爐連續榮獲中國半導體行業協會、中國電子材料行業...
6.2懸浮區熔法製備單晶矽工藝 6.2.1原理 6.2.2區熔單晶爐 6.2.3區熔工藝 6.3多晶矽製備技術 6.3.1多晶矽生長原理 6.3.2多晶矽鑄錠工藝 6.3.3多晶矽鑄錠爐 6.3.4未來的發展趨勢 6.4摻雜工藝 6.4.1直拉單晶矽的摻雜 6.4.2區熔矽單晶的摻雜 6.5帶狀多晶矽製造技術 6.5.1定邊餵膜帶矽技術 6...
浮帶矽（英語：Float-zone silicon）是利用垂直式區域熔煉技術所得到的高純度矽。先是1953年美國陸軍通訊兵團的科學家保羅·開克（Paul H. Keck，1908年6月28日－1963年4月8日）與馬塞爾·儒勒·埃都瓦·高萊以區域熔煉法製備出矽單晶。 後來又有1955年貝爾實驗室的Henry Theuerer改良威廉·加德納·普凡純化鍺的...
平台擁有超高真空互聯繫統（集成有STM、Laser-ARPES、XPS、OxMBE、PLD）、單晶/薄膜/粉末XRD、PDF、PPMS、MPMS、稀釋制冷機、SEM、AFM、雷射導熱儀、流變儀、動態光散射儀、浮熔區單晶生長爐等尖端科研設備，並配有經驗豐富的高水平專業人才，不但兼顧常規分析表征的研究需求，更能夠追蹤學科前沿。在未來的雲谷校區，...
區熔矽單晶爐 砷化鎵水平單晶生產線 直拉矽單晶爐 噴射成形設備 2米直徑立式旋壓加工設備 中重稀土金屬生產設備 光學鍍膜材料生產線 二次電池檢測分選設備 記憶合金加工生產線 JEM—1000型超高壓電子顯微鏡 X射線螢光光譜儀 等離子發射光譜儀 等離子質譜儀 化合物半導體材料 矽單晶拋光片 紅外光學用鍺晶體 形狀記憶合金...
12.5 光學浮區爐 12.6 OFZT的陶瓷和晶棒生長的實驗細節 12.7 同成分和不同成分熔融氧化物的穩定生長 12.8 結構過冷和結晶前的穩定性 12.9 晶體生長的終止和冷卻 12.10 0FZ技術的晶體生長特點 12.11 晶體缺陷測定——實驗方法 12.12 0FZ和TSFZ方法選定氧化物單晶生長的具體條件 ……13.雷射加熱基座...
釔鋁石榴石的化學式是Y3 Al5 O15 ,簡稱為YAG。在YAG基質中摻入激活離子Nd3+ (約1%)就成為Nd:YAG。實際製備時是將一定比例的Al2 O3 、Y2 O3 和NdO3 在單晶爐中熔化結晶而成。Nd:YAG屬於立方晶系, 是各向同性晶體。具體作用 和其他固體雷射器 一樣, 雷射棒基本組成部分是雷射工作物質、泵浦源和諧振腔。...
矽晶（英文 Monocrysta line silicon），是矽的晶體包括多晶矽和單晶矽，不同的方向具有不同的性質，是一種良好的半導材料。單晶矽 純度要求達到99.9999%，甚至達到99.9999999%以上。用於製造半導體器件、太陽能電池等。用高純度的多晶矽在單晶爐內拉制而成。用途：單晶矽具有基本完整的點陣結構的晶體，多晶矽，是單質矽...
自動鏡面爐(AMF)該儀器是用來從液態相生長均勻單晶體的光學輻射爐。自動鏡面爐有一個橢圓形鏡子，在鏡子的一個焦點上有一個光源，樣品放在鏡子的另一個焦點上加熱、熔化。將樣品慢慢地從爐子中拉出，從而達到定向固化的目的。用這種加工爐可生產出電子工業所需的大直徑勻質單晶材料。溶液生長設備(SGF) SGF是用於...
680℃還原即可得到金屬鍺。還原終結時逐步升溫至1000～1100℃，使鍺熔化，將石墨舟從還原爐中緩慢拉出，控制溫度，把雜質驅至尾端，這種方法稱為定向結晶法。切去鍺錠的尾端，其餘部分的純度大大提高，電阻率可達到20Ω·cm以上。鍺單晶的製備方法通常有兩種，一種是直拉法，另外一種就是區熔勻平法。
中國光伏設備企業從矽材料生產、矽片加工到太陽能電池晶片的生產以及相應的純水製備、環保處理、淨化工程的建設，已經初步具備成套供應能力，部分產品如擴散爐、等離子刻蝕機、單晶爐、多晶鑄錠爐等開始少量出口，可提供10種太陽能電池大生產線設備中的8種，其中有6種（擴散爐、等離子刻蝕機、清洗/制絨機、石英管清洗機...
得到高純度的多晶矽後，還要在單晶爐中熔煉成單晶矽，以後切片後供積體電路製造等用。可以用於二極體級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產品的生產和深加工製造，其後續產品積體電路和半導體分離器件已廣泛套用於各個領域，在軍事電子設備中也占有重要地位。行業發展 當前光伏正面臨著兩大歷史性的拐點：第一是從...
1. 矽棒矽錠生產設備：單晶爐，鑄錠爐，坩堝，熱場及其他相關設備；2. 矽片生產設備： 切割設備，清洗設備，檢測設備及其他相關設備；3. 電池生產設備： 全套生產線，腐蝕清洗設備，擴散爐，減反射膜/沉積設備， 絲網印刷機，測試儀和分選機，其他相關設備；4. 電池板/組件生產設備：全套生產線，測試設備，玻璃...
【用途】氧化釔可制特種玻璃及陶瓷，並用作催化劑。主要用作製造微波用磁性材料和軍工用重要材料（單晶；釔鐵柘榴石、釔鋁柘榴石等複合氧化物），也用作光學玻璃、陶瓷材料添加劑、大螢幕電視用高亮度螢光粉和其他顯像管塗料。還用於製造薄膜電容器和特種耐火材料，以及高壓水銀燈、雷射、儲存元件等的磁泡材料。【...
熔制方法有電熔法、氣煉法等。內容簡介 簡介 石英玻璃是二氧化矽單一成分的非晶態材料，其微觀結構是一種由二氧化矽四面結構體結構單元組成的單純網路，由於Si-O化學鍵能很大，結構很緊密，所以石英玻璃具有獨特的性能，尤其透明石英玻璃的光學性能非常優異，在紫外到紅外輻射的連續波長範圍都有優良的透射比。石英玻璃採用...
從條紋的顏色、多少、條紋間距及條紋的清晰度等，可以計算出取向程度或材料中應力的大小，這是一般光學應力儀的原理，而在偏光顯微鏡中，可以觀察得更為細緻。聚合物試樣的製備 （l）熔融法製備聚合物球晶。首先把已洗乾淨的載玻片、蓋玻片及專用砝碼放在恆溫熔融爐內在選定溫度（一般比Tₘ高30℃）下恆溫5min，然後...
單晶 石墨單晶 純淨的天然鱗片石墨、高定向熱解石墨，這些石墨晶體，缺陷較少而且尺寸較大，一般可認為是較完善的石墨單晶。對這類石墨的熱導有過相當多的研究。在壓應力下，經過3000K以上處理的熱解石墨，其體積密度為2.25g/cm，接近單晶的理論密度2.266g/cm，其(002)衍射峰半寬角展只有0.4°(鑲嵌角)，也...
5.4.2 光學與基板承載系統 5.5 多晶矽成膜機制 5.5.1 部分熔融區 5.5.2 接近完全熔融區 5.5.3 完全熔融區 5.6 晶化質量的提升 5.6.1 重疊照射 5.6.2 非晶矽厚度 5.6.3 抗反射層 5.6.4 晶化氣氛與溫度 5.6.5 分析工具 5.7 下一代多晶矽技術 5.7.1 循序性橫向晶化 5.7.2 固態雷射...
18世紀工業革命以後，隨著建築、機械、鋼鐵、運輸等工業的興起，無機非金屬材料有了較快的發展，出現了電瓷、化工陶瓷、金屬陶瓷、平板玻璃、化學儀器玻璃、光學玻璃、平爐和轉爐用的耐火材料以及快硬早強等性能優異的水泥。同時，發展了研磨材料、碳素及石墨製品、鑄石等。新型無機材料 20世紀以來，隨著電子技術、航天、...