化學氣相沉澱法（CVD）是從氣態金屬鹵化物（主要是氯化物）中還原化合沉澱製取難熔化合物粉末和各種塗層（包括碳化物，硼化物，矽化物和氮化物等）的方法
基本介紹
- 中文名：化學氣相沉澱法
- 外文名：chemical vapor deposition method
- 學科：粉末冶金
- 簡稱：CVD
化學氣相沉澱法（CVD）是從氣態金屬鹵化物（主要是氯化物）中還原化合沉澱製取難熔化合物粉末和各種塗層（包括碳化物，硼化物，矽化物和氮化物等）的方法
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有機金屬化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ,是在基板上成長 半導體 薄膜的一種方法。...
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低溫化學氣相沉積技術(簡稱PCVD),是作為CVD和PVD技術補充而發展起來的。具有設備簡單、工件變形小、繞PCVD技術沉積溫度<600℃拓寬了基體材料適用範圍,鍍性能好、塗層...
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