基本介紹
- 中文名:勻膠
- 外文名:Spin-on PR Coating
- 別名:旋轉塗膠
- 屬性:光刻工藝的基本步驟
引言
基本步驟
光刻塗膠方法
- 分滴。當矽片靜止或旋轉得非常緩慢時,光刻膠被分滴在矽片上。
- 旋轉鋪開。快速加速矽片的旋轉到一高的轉速(rpm)使光刻膠伸展到整個矽片表面。
- 旋轉甩掉。甩去多餘的光刻膠,在矽片上得到均勻的光刻膠膠膜覆蓋層。
- 溶劑揮發。以固定轉速繼續旋轉已塗膠的矽片,直至溶劑揮發,光刻膠膠膜幾乎乾燥。

勻膠,光刻工藝的基本步驟之一,也被稱為旋轉塗膠或甩膠,成底膜處理後,矽片要立即採用旋轉塗膠的方法塗上液相光刻膠材。引言矽片被固定在一個真空載片台上,它是一個表面上有很多真空孔以便固定矽片的平的金屬或聚四氯乙烯盤。一定數量...
勻膠機是在高速旋轉的基片上,滴注各類膠液,利用離心力使滴在基片上的膠液均勻地塗覆在基片上的設備,膜的厚度取決於勻膠機的轉速和溶膠的黏度。產品介紹 該設備主要用於晶片塗光刻膠,有自動、手動和半自動三種工作方式。送片盒中的晶片,自動送到承片台上,用真空吸附,在主軸電機的帶動下旋轉,轉速100—...
全自動勻膠顯影系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2019年12月5日啟用。技術指標 襯底支持:4英寸,6英寸基片。7個可獨立進行控溫的熱板,高精度熱板溫度精度+/-0.2℃。勻膠單元每個Cup配置4條光刻膠管路,具備背洗、邊緣清洗功能。顯影單元每個Cup...
勻膠熱板一體機是一種用於材料科學、機械工程、自然科學相關工程與技術、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2019年5月27日啟用。技術指標 最大可完成8英寸晶圓的勻膠烘烤,向下兼容;Windows作業系統,PC控制;密碼設定保護。 勻膠機:最大轉速12000 rpm,轉速精度<0.2 rpm;加速範圍0~30000 rpm/s;時間設定...
勻膠顯影機一般由四部分組成。第一部分是晶圓盒工作站(wafer cassette station),晶圓盒在這裡裝載到機器上。機械手(robot arm)從晶圓盒中把晶圓抽出來,傳送到工藝處理部分(process block),即第二部分。工藝處理部分是勻膠顯影機的主體,增粘模組(adhesion enhancement)、熱盤(hot plate)、冷盤(chill ...
智慧型程控勻膠機是高精密的旋轉塗膜儀。主要為高等院校、科研院所、研發中心等進行研究,開發各種功能薄膜所用。適用於半導體矽片、晶片、ITO導電玻璃、光學玻璃、生物薄膜、製版等工藝表面塗覆。特色 1、 機身選用耐酸鹼、耐衝擊、耐腐蝕不鏽鋼、永不生鏽,便於清洗。2、 採用全色7英寸觸控螢幕控制臺,直觀簡單更方便...
勻膠顯影儀 勻膠顯影儀是一種用於信息科學與系統科學、動力與電氣工程、電子與通信技術、計算機科學技術領域的工藝試驗儀器,於2016年5月10日啟用。技術指標 膠厚、均勻性。主要功能 半導體晶片勻膠顯影。
(1)建立一個完整的,包括勻膠顯影機中各測試單元的工作程式,例如,晶圓盒——>l冷板——>旋塗——>熱板——>冷板——>顯影——>晶圓盒。但是這個工作程式只是“dry run”,並沒有光刻膠或顯影液等液體噴淋在晶圓上。(2)選擇10片乾淨的晶圓,先用晶圓表面顆粒探測系統(如KLA-Tencor的SP2)檢測出...
光刻膠處理系統是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2013年8月9日啟用。技術指標 可支持襯底尺寸:2”、 4”、6”晶圓,20mm、40mm、50mm等方形基片;勻膠模組:每個Cup至少配置3條光刻膠管路,具備背洗功能,具備邊緣清洗功能;...
包括兩個過程:低速滴膠(或者靜止滴膠)和高速勻膠。離心加速度會使膠很快地勻開,然後多餘的膠被甩離基片,整個基片上形成一層均勻的薄膜。對薄膜厚度和其他特性的影響因素主要有兩個:膠體本身(濃度、表面張力、膠乾的速度等)和最終的旋轉速度。主要用於光碟製備工藝中的染料製備和紫外固化膠製備。
旋塗是旋轉塗抹法的簡稱,是有機發光二極體中常用的製備方法,主要有設備為勻膠機。旋塗法包括:配料,高速旋轉,揮發成膜三個步驟,通過控制勻膠的時間,轉速,滴液量以及所用溶液的濃度、粘度來控制成膜的厚度。電子工業中,基片垂直於自身表面的軸旋轉,同時把液態塗覆材料塗覆在基片上的工藝。簡介 旋塗(或稱...
晶圓在勻膠顯影機里的工藝流程由一個程式來控制,該程式確定了晶圓所經過的工藝單元及在每一個工藝單元內部應該使用的單元程式,稱為流程控制程式。流程控制程式確定晶圓經過的工藝單元,在每一個工藝單元內部應該使用的單元程式(module recipe)。表1是一個流程控制的程式,首先是三次光刻材料(抗反射塗層、光刻膠、...
晶圓邊緣多餘的光刻膠還可以通過光學的辦法來清除,稱為晶圓邊緣曝光(wafer edge exposure,WEE)。在塗膠和烘烤完成後,晶圓被傳送到邊緣曝光單元。邊緣曝光單元也是勻膠顯影機的一部分。晶圓的邊緣部分被曝光,激發光化學反應。這樣在最後顯影時,邊緣的光刻膠就與曝光圖形同時溶解在顯影液里。圖1是邊緣曝光單元結構...
光刻材料是指光刻工藝中用到的增粘材料、抗反射塗層、光刻膠、化學溶劑和顯影液,還包括193nm浸沒式光刻中用到的抗水塗層。光刻材料都被安裝在勻膠顯影機上,根據工藝流程的安排,旋塗或噴淋在晶圓上。光刻材料中,最主要的是光刻膠,它是一種光敏感的聚合物。在一定波長的光照下,光子激發材料中的光化學反應,...
去離子水沖洗單元是指把光刻膠中容易釋放到水中的化學成分沖洗掉的工藝單元。隨著193nm浸沒式光刻機的廣泛使用,浸沒式曝光工藝對勻膠顯影機提出了新的要求。浸沒式光刻是在純淨水下對光刻膠進行步進-掃描式曝光,曝光後經常會有水滴殘留在晶圓表面。在後烘之前,這些水滴需被清除掉。否則,在高溫烘烤時,水滴會和...
提出了基於柔性基體聲波諧振器的三種實現形式:成品PI基底器件,勻膠固化式器件和凹槽填充式器件,並利用Comsol有限元仿真軟體對器件進行了建模仿真,從器件的電學性能和熱力學性能兩大方面對器件進行了仿真分析。發現採用聲阻抗極小的PI襯底在理論上也可以得到性能良好的器件,仿真發現直接以PI為襯底的器件Q值可以達到...
光刻圖形缺陷指任何對目標圖形的偏離。如果缺陷的尺寸小於圖形中最小尺寸的40%,其對器件性能的影響可以忽略。光刻圖形缺陷的來源主要有三種:一是材料帶來的,例如,光刻膠過期形成的懸浮顆粒;二是設備產生的,例如,旋塗時勻膠顯影機內的顆粒掉在晶圓表面;三是不完善的工藝產生的,例如曝光條件偏離了最佳點,導致...
◆勻膠機旋塗儀系統 該設備是科研製備理想的勻膠機旋塗儀,由天然聚丙烯或特氟龍材質構造有216毫米,318毫米和370毫米三種腔體大小可選,可選擇用於濕法刻蝕或者手套箱系統的不同構造,最大轉速可達12000RPM;易編程的數碼控制器並可升級成為自動滴膠型。其中 WS-650S,WS-400B型號的勻膠機,為高精度數碼控制器的勻...
2. 勻膠:使用勻膠機利用底部真空吸力吸住襯底;取適量光刻膠(一般,我們使用AZ3000)滴於襯底上,並以4000轉每分鐘的轉速旋轉1分鐘,利用離心力讓光刻膠均勻覆蓋在襯底表面;隨後以100℃的溫度烘烤1分鐘,去掉光刻膠中多餘的溶劑和水分。一般的,我們可以得到1.4微米左右的膠厚。3. 曝光:利用一台步進式光刻...
“頭號排筆四支,二號排筆四支,三號排筆四支,中梁四支,大南蟹爪,十支鬚眉十支,大著色二十支,小著色二十支,開面十支,柳條十支,頭朱四兩,南赭四兩黃四兩~~廣勻膠四兩,淨礬四兩。~~柳木炭一斤,三屜木箱一個,實地紗一丈,生薑二兩,漿半斤。”