晶圓邊緣曝光

晶圓邊緣多餘的光刻膠還可以通過光學的辦法來清除，稱為晶圓邊緣曝光（wafer edge exposure，WEE）。

基本介紹

• 中文名：晶圓邊緣曝光
• 外文名：wafer edge exposure(WEE)

在塗膠和烘烤完成後，晶圓被傳送到邊緣曝光單元。邊緣曝光單元也是勻膠顯影機的一部分。晶圓的邊緣部分被曝光，激發光化學反應。這樣在最後顯影時，邊緣的光刻膠就與曝光圖形同時溶解在顯影液里。

圖1是邊緣曝光單元結構示意圖，機械手把晶圓放置到可以旋轉的樣品台上，樣品台開啟真空固定晶圓。樣品台旋轉，邊緣感測器測定晶圓邊緣和缺口（notch）的位置。邊緣曝光的來源來自於一個高壓汞燈，汞燈安裝在一個盒子裡（lamp house），通過一根光纖把光線輸送到晶圓邊緣。曝光光源的開關由盒子裡的一個擋光板控制。光纖輸出的光通過一個透鏡聚焦在晶圓的邊緣，晶圓轉動實現曝光。光纖的輸出端和聚焦透鏡安裝在一個可以沿X/Y方向移動的導軌上，以便調整曝光位置。

圖1 邊緣曝光單元結構示意圖

對晶圓邊緣曝光的技術指標要求包括定位精度和曝光強度兩個方面。要求確定晶圓缺口位置的精度在之內，邊緣曝光位置的精度可以控制在之內。邊緣曝光的功率應大於每平方厘米400mW。值得注意的是，晶圓邊緣曝光並不能夠去除多餘的抗反射塗層，因為抗反射塗層不是光敏感的。