基本介紹
- 中文名:晶圓邊緣曝光
- 外文名:wafer edge exposure(WEE)
![晶圓邊緣曝光 晶圓邊緣曝光](/img/d/caa/gYjVmNxEjNlRGZ1UWNzIGOmJWYzMjZ4MGM1IWO4MTOiVmMmJTMkdzMvMWaw9SbvNmLz9mYlNmYu4GZj5yZtl2ai9yL6MHc0RHa.jpg)
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晶圓邊緣多餘的光刻膠還可以通過光學的辦法來清除,稱為晶圓邊緣曝光(wafer edge exposure,WEE)。在塗膠和烘烤完成後,晶圓被傳送到邊緣曝光單元。邊緣曝光單元也是勻膠顯影機的一部分。晶圓的邊緣部分被曝光,...
滑移線缺陷是也是一種常見的缺陷,它是由晶體生長時的加熱不均造成的,他通常在晶圓的外圍邊緣處,形成一條條水平的細小直線。由於滑移線的尺寸相對比較大,可以通過人工觀測的形式辨認。如圖8所示。堆垛層錯(Stacking Fault)也是可以在外延層中發現的缺陷,一般是由於晶體結構中密排面的正常堆垛順序遭到了破壞,其...
圖1 多餘的膠在晶圓邊緣堆積,甚至在表面張力的作用下流到晶圓背面 去除方法:化學方法(Chemical EBR),軟烘後,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反邊緣處,並小心控制不要達到光刻膠有效區域,如圖2所示。光學方法(Opitcal EBR),即矽片邊緣曝光(Wafer Edge Exposure,WEE)。在完成圖形的曝光後,用雷射...
半導體晶圓裂片新型自動去邊緣裝置的研發 半導體晶圓裂片新型自動去邊緣裝置的研發是由安徽安芯電子科技股份有限公司完成的科技成果,登記於2020年2月20日。成果信息 項目成員 張小明;許成長;胡成圓;劉成全;孫培剛;瞿芳芳;何婷;江平;吳昊;謝曉麗
顯影等主要工藝單元都安裝在這裡,一個或兩個機械手在各單元之間傳遞晶圓。第三部分是為浸沒式光刻工藝配套的單元,包括晶圓表面水沖洗單元、背清洗單元等。第四部分是和光刻機在線上的接口界面(interface),包括暫時儲存晶圓的緩衝盒(buffer)、晶圓邊緣曝光(wafer edge exposure,WEE)和光刻機交換晶圓的接口等。
噴嘴用來供應光刻膠和各種有機溶劑,每一個噴嘴對應一種材料,如圖所示。在整個光刻工藝中,除了曝光,其餘所有的步驟都是在勻膠顯影機中完成的。勻膠顯影機的主要工藝單元分別有晶圓表面增粘處理,光刻膠旋塗單元,邊緣曝光,顯影單元等,這些單元的裝置都離不開噴嘴。分類:晶圓表面增粘處理:有些晶圓表面是親水的...
方法:a、化學的方法(Chemical EBR)。軟烘後,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣處,並小心控制不要到達光刻膠有效區域;b、光學方法(Optical EBR)。即矽片邊緣曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成圖形的曝光後,用雷射曝光矽片邊緣,然後在顯影或特殊溶劑中溶解;對準 對準方法:a、預對準,...
(7) 矽片邊緣曝光:用雷射曝光矽片邊緣,了解邊緣曝光的方法,理解它的目的和意義。(8) 調平和對準:要求學生掌握調平和對準的工作原理和操作方法:1、 掌握調平原理和方法:模擬調平感測器發出的2束光檢測晶圓表面高度和水平度,調節工作檯的俯仰使晶圓表面與投影鏡頭始終保持相對平行,理解這一步驟對大尺度...
掩模版上相鄰兩點在晶圓表面可以清晰成像的對應的最小距離或區別矽片表面上兩個或更多的鄰近特徵圖形的能力稱為解析度。術語簡介 一種解釋解析度的實際方法是通過矽片上形成符合質量規範要求的最小特徵圖形。形成的關鍵尺寸越小,光刻膠的分辨能力和光刻系統就越好。積體電路生產中使用的投影式光刻機的曝光系統可以等效地...
第3章 晶體生長與矽晶圓製備 3.1 簡介 3.2 半導體矽製備 3.3 晶體材料 3.4 晶體定向 3.5 晶體生長 3.6 晶體和晶圓質量 3.7 晶圓準備 3.8 切片 3.9 晶圓刻號 3.10 磨片 3.11 化學機械拋光(CMP)3.12 背面處理 3.13 雙面拋光 3.14 邊緣倒角和拋光 3.15 晶圓評估 3.16 氧化 3...
4.1.6 晶圓邊緣電漿表面處理工藝/121 4.2 積體電路中的電漿表面處理設備/124 4.2.1 遠程電漿源/124 4.2.2 晶圓邊緣表面處理設備/127 4.3 電漿表面處理技術的挑戰/128 4.3.1 電漿表面處理的損傷問題/128 4.3.2 電漿表面處理的顆粒問題/129 4.3.3 電漿表面處理材料種類...
第3章晶體生長與矽晶圓製備 3.1引言 3.2半導體矽製備 3.3晶體材料 3.4晶體定向 3.5晶體生長 3.6晶體和晶圓質量 3.7晶圓準備 3.8切片 3.9晶圓刻號 3.10磨片 3.11化學機械拋光 3.12背面處理 3.13雙面拋光 3.14邊緣倒角和拋光 3.15晶圓評估 3.16氧化 3.17包裝 3.18工程化晶圓(襯底...