晶片製造

《晶片製造》是2010年8月1日電子工業出版社出版的圖書，作者是（美國）贊特。本書介紹了半導體工藝的製作製程、誕生、發展、半導體材料和化學品的性質等方面闡述。

基本介紹

• 書名：晶片製造
• 又名：microchip fabrication:a practical guide to semiconductor processing,fifth edition
• 作者：（美國）贊特
• ISBN：7121113724, 9787121113727
• 頁數：387頁
• 出版社：電子工業出版社
• 出版時間：2010年8月1日
• 裝幀：平裝
• 開本：16

內容簡介

《晶片製造:半導體工藝製程實用教程(第5版)》是一部介紹半導體積體電路和器件技術的專業書籍。其英文版在半導體領域享有很高的聲譽，被列為業界最暢銷的書籍之一，第五版的出版就是最好的證明。《晶片製造:半導體工藝製程實用教程(第5版)》的範圍包括半導體工藝的每個階段，從原材料製備到封裝、測試以及傳統和現代工藝。每章包含有習題和複習總結，並輔以豐富的術語表。《晶片製造:半導體工藝製程實用教程(第5版)》主要特點是簡潔明了，避開了複雜的數學理論，非常便於讀者理解。《晶片製造:半導體工藝製程實用教程(第5版)》與時俱進地加入了半導體業界的最新成果，可使讀者了解工藝技術發展的最新趨勢。《晶片製造:半導體工藝製程實用教程(第5版)》可作為高等院校電子科學與技術專業和職業技術培訓的教材，也可作為半導體專業人員的參考書。

作者簡介

作者：（美國）贊特（PeterVanZant）譯者：韓鄭生趙樹武

目錄

第1章 半導體工業

1．1 一個工業的誕生

1．2 固態時代

1．3 積體電路

1．4 工藝和產品趨勢

1．5 特徵圖形尺寸的減小

1．6 晶片和晶圓尺寸的增大

1．7 缺陷密度的減小

1．8 內部連線水平的提高

1．9 SIA的發展方向

1．10 晶片成本

1．11 半導體工業的發展

1．12 半導體工業的構成

1．13 生產階段

1．14 結型電晶體

1．15 工業發展的50年

1．16 納米時代

習題

參考文獻

第2章 半導體材料和化學品的性質

2．1 原子結構

2．2 元素周期表

2．3 電傳導

2．4 絕緣體和電容器

2．5 本徵半導體

2．6 摻雜半導體

2．7 電子和空穴傳導

2．8 載流子遷移率

2．9 半導體產品材料

2．10 半導體化合物

2．11 鍺化矽

2．12 襯底工程

2．13 鐵電材料

2．14 金剛石半導體

2．15 工藝化學品

2．16 物質的狀態

2．17 電漿

2．18 物質的性質

2．19 壓力和真空

2．20 酸，鹼和溶劑

2．21 材料安全數據表

習題

參考文獻

第3章 晶體生長與矽晶圓製備

3．1 簡介

3．2 半導體矽製備

3．3 晶體材料

3．4 晶體定向

3．5 晶體生長

3．6 晶體和晶圓質量

3．7 晶圓準備

3．8 切片

3．9 晶圓刻號

3．10 磨片

3．11 化學機械拋光(CMP)

3．12 背面處理

3．13 雙面拋光

3．14 邊緣倒角和拋光

3．15 晶圓評估

3．16 氧化

3．17 包裝

3．18 工程化晶圓(襯底)

習題

參考文獻

第4章 晶圓製造概述

4．1 晶圓生產的目標

4．2 晶圓術語

4．3 晶圓生產的基礎工藝

4．4 電路設計

4．5 光刻母版和掩模版

4．6 晶圓製造實例

4．7 晶片術語

4．8 晶圓中測

4．9 積體電路的封裝

4．10 小結

習題

參考文獻

第5章 污染控制

5．1 簡介

5．2 問題

5．3 污染源

5．4 潔淨室的建設

5．5 潔淨室的物質與供給

5．6 潔淨室的維護

5．7 晶片表面清洗

習題

參考文獻

第6章 生產能力和工藝良品率

6．1 良品率測量點

6．2 累積晶圓生產良品率

6．3 晶圓生產良品率的制約因素

6．4 晶圓電測良品率要素

6．5 封裝和最終測試良品率

6．6 整體工藝良品率

習題

參考文獻

第7章 氧化

7．1 二氧化矽層的用途

7．2 熱氧化機制

7．3 熱氧化方法

7．4 水平管式反應爐

7．5 立式反應爐

7．6 快速升溫反應爐

7．7 快速熱處理(RTP)

7．8 高壓氧化

7．9 氧化工藝的自動化

7．10 氧化前晶圓的清洗

7．11 氧化工藝

7．12 氧化後評估

習題

參考文獻

第8章 基本圖形化工藝流程——從表面準備到曝光

8．1 簡介

8．2 光刻蝕工藝概述

8．3 光刻10步法

8．4 基本的光刻膠化學

8．5 光刻膠性能的要素

8．6 正膠和負膠的比較

8．7 光刻膠的物理屬性

8．8 光刻工藝

8．9 表面準備

8．10 塗光刻膠(旋轉式)

8．11 軟烘焙

8．12 對準和曝光

8．13 先進的光刻

習題

參考文獻

第9章 基本圖形化工藝流程——從顯影到最終檢驗

9．1 顯影

9．2 硬烘焙

9．3 集成圖形工藝

9．4 刻蝕

9．5 濕法刻蝕

9．6 乾法刻蝕

9．7 光刻膠的去除

9．8 最終目檢

9．9 掩模版製作

9．10 小結

習題

參考文獻

第10章 高級光刻工藝

10．1 VLSI/ULSI積體電路圖形處理過程中存在的問題

10．2 其他曝光問題

10．3 掩模版貼膜

10．4 晶圓表面問題

10．5 防反射塗層

10．6 平坦化

10．7 高級光刻膠工藝

10．8 CMP小結

10．9 改進刻蝕工藝

10．10 自對準結構

10．11 刻蝕輪廓控制

……

第11章 摻雜

第12章 薄膜澱積

第13章 金屬化

第14章 工藝和器件評估

第15章 晶圓加工中的商務因素

第16章 形成器件和積體電路的介紹

第17章 積體電路的介紹

第18章 封裝