互補電晶體邏輯(complementary transistor logic)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:互補電晶體邏輯
- 外文名:complementary transistor logic
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
互補電晶體邏輯(complementary transistor logic)是1993年公布的電子學名詞。
互補電晶體邏輯(complementary transistor logic)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
互補 互補通道電晶體邏輯(CPL)或差分通道電晶體邏輯是具有某些優點的一個邏輯家族。它通常用於多路選擇器與門閂。互補通道電晶體邏輯使用串聯的電晶體來在可能的反相的邏輯輸出值之間選擇,被選擇的輸出驅動一個反相器來產生一個非反相的...
TTL最主要是由N組電阻、電晶體、二極體構成的偏置電路所組合出來,線上性放大器的角度來看就是數個CE(共發射極)電路或是CC(共集電極)電路所組成。當然這只是比喻並非實際,畢竟在數字邏輯的世界就是只有0跟1,也就是關或開。74...
二極體-電晶體邏輯電路是輸入端用二極體實現“與”邏輯,輸出端用電晶體實現“非”邏輯,採用二極體電平位移的單元門電路。簡介 其基本電路如圖1所示,a中的二極體D1、D2和D3完成“與”邏輯,二極體D4和D5提供補償電壓,電晶體T完成“非...
集成邏輯門是數字電路的基本邏輯元件,是數字電路的基礎,它的電性能決定了各種中大規模標準模組電路的基本電性能。三種常用的集成邏輯門系列有:電晶體-電晶體邏輯系列、射極耦合邏輯系列、互補金屬氧化物半導體邏輯系列。1.1TTL 全稱...
金氧半場效電晶體在數位訊號處理上最主要的成功來自互補式金屬氧化物半導體邏輯電路的發明,這種結構最大的好處是理論上不會有靜態的功率損耗,只有在邏輯門的切換動作時才有電流通過。互補式金屬氧化物半導體邏輯門最基本的成員是互補式...
發射極耦合邏輯電路(emitter coupled logic)是以多個電晶體的發射極相互耦合加上射極跟隨器組成的邏輯電路。簡稱ECL電路。ECL電路發展於20世紀50年代末期,是雙極型積體電路的基本電路形式。它是一種電流型開關電路,電路中的電晶體工作在...
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電路的輸入和輸出之間存在一定的邏輯關係(因果關係),所以邏輯電路又稱為邏輯門電路。基本邏輯關係為“與”、“或”、“非”三種。邏輯門電路按其內部有源器件的不同可以分為三大類。第一類為雙極型電晶體邏輯門電路,包括TTL、ECL電路...
金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconductor)結構的電晶體簡稱MOS電晶體,有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的積體電路稱為MOS積體電路,而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS積體電路即為 CMOS-IC( Complementary MOS ...
7.2 單軌邏輯電路 7.2.1 CMOS邏輯電路 7.2.2 基於TG的邏輯電路 7.2.3 有比邏輯電路 7.3 雙軌邏輯電路 7.3.1 共源共柵電壓開關邏輯 (CVSL)7.3.2 互補傳輸電晶體邏輯 (CPL)7.3.3 DCVSPG 7.3.4 雙傳輸電晶體...
直接耦合電晶體邏輯 直接耦合電晶體邏輯(direct-coupled transistor logic)是1993年發布的電子學名詞。公布時間 1993年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
低電壓電晶體電晶體邏輯(low voltage transistor-transistor logic,LVTTL)是2018年公布的計算機科學技術名詞。定義
電阻-電晶體邏輯 電阻-電晶體邏輯(resistor-transistor logic)是1993年發布的電子學名詞。公布時間 1993年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
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早年曾希望研製出多穩態的固態器件替代二態的電晶體,但未見成效。現代按多值代數概念似乎只要有“max”、“min”配合一些單變數運算的門,原則上就有了足夠的多值基本門。用電晶體-電晶體邏輯電路、集成注入邏輯電路I2L、 互補金屬-...
電阻-電晶體邏輯電路(resistor-transistor logic,簡稱RTL)是一個電子科學術語。評價 RTL電路是順應新經濟變革的當代物流理念,與現代物流理念區別在於,實時物流不僅關注物流系統成本,更關注整體商務系統的反應速度與價值。
第一個可溶解處理的有機聚合物材料poly(3一hexylthiophene)則是在1988年被套用於場效應電晶體,目前具有最高遷移率的聚合物材料是1993年報導的po一ythienylenevinylene材料。迄今為止大部分的有機半導體材料為。型材料,而邏輯電路一般由CMOS...
《基於開關信號理論的多BETA電晶體邏輯高速積體電路》是依託浙江大學,由吳訓威擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 電晶體從單射極發展到多射極經歷了豐富物理結構增強邏輯功能的過程,而從單-β的多射極發展到多β發射極則再次豐富...
在用同一個控制電路驅動不同電位的功率場效應電晶體的情況下,需將控制電路和功率場效應電晶體之間用光耦合器或脈衝變壓器隔離。圖2是光耦合器隔離的柵極驅動電路。它採用互補電晶體輸出。輸出阻抗小,驅動功率大。
此外,在雙極型積體電路發展過程中,還有許多其他型式的電路。例如,發射極功能邏輯電路(EFL)、互補電晶體邏輯電路(CTL)、抗輻照互補恆流邏輯電路(C3L)、電流參差邏輯電路(CHL)、三態邏輯電路(TSL)和非閾值邏輯電路(NTL)等。特點和...
若按照暫存器內部組成電路所使用的電晶體不同種類來區分,可以分成如電晶體一電晶體邏輯(TTL)、互補場效應電晶體邏輯(CMOS)等許多種類,目前使用最多的就是TTL暫存器和CMOS暫存器,它們都是中、小規模的積體電路器件。暫存器電路是數字邏輯...
CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫,它由絕緣場效應電晶體組成,由於只有一種載流子,因而是一種單極型電晶體積體電路,其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管,如圖1所示...
通斷(傳遞信號)時的雙極電晶體表現出一些延遲特性。大多數電晶體,尤其是功率電晶體,具有長的儲存時間,限制操作處理器的最高頻率。一種方法用於減少該存儲時間是使用Baker clamp。互補式金屬氧化物半導體 互補式金屬氧化物半導體(簡稱...
此外,BCD6S準許在高功率輸出電路內集成NMOS和PMOS互補電晶體,省去了舊式製程所需的外部自舉電容和陰極負載二極體。這種方法體系簡化了設計,節省電路板空間,提高產品設計的可靠性,並最佳化了材料成本。性能指標 TDA7492主要特性:50 W + ...
§2-4非完全描述的邏輯函式和多輸出邏輯函式及其化簡 44 一、非完全描述的邏輯函式及其卡諾圖化簡 44 二、多輸出邏輯函式及其化簡 45 §2-5正邏輯與負邏輯 46 習題二 47 第三章 集成邏輯門 50 §3-1電晶體-電晶體邏輯系列(TTL...
PN結、金屬氧化物半導體場效應管等組成了積體電路器件的基礎結構,而由後者構成的互補式金屬氧化物半導體則憑藉其低靜態功耗、高集成度的優點成為數字積體電路中邏輯門的基礎構造。設計人員需要考慮電晶體、互連線的能量耗散,這一點與以往由...