《一種晶界擴散製備高矯頑力燒結釹鐵硼磁體的方法》是昆明理工大學、中國科學院寧波材料技術與工程研究所於2021年3月18日申請的專利，該專利公布號為CN112927921A，專利公布日為2021年6月8日，發明人是馬照坤、宋振綸、楊麗景、宋鵬、王庭輝、江傑。
基本介紹
- 中文名：一種晶界擴散製備高矯頑力燒結釹鐵硼磁體的方法
- 授權公告號：CN112927921A
- 授權公告日：2021.06.08
- 申請號：2021102888065
- 申請日：2021.03.18
- 申請人：昆明理工大學; 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
- 地址：650000雲南省昆明市五華區學府路253號
- 發明人：馬照坤; 宋振綸; 楊麗景; 宋鵬; 王庭輝; 江傑
- Int. Cl.：H01F41/02(2006.01)I; H01F41/18(2006.01)I; H01F1/057(2006.01)I; H01F1/055(2006.01)I
- 專利代理機構：昆明同聚專利代理有限公司53214
- 代理人：王遠同
專利摘要
本發明公開了一種晶界擴散製備高矯頑力燒結釹鐵硼磁體的方法，屬於稀土永磁材料技術領域。本發明所述方法採用磁控濺射的方法在燒結釹鐵硼磁體表面製備重稀土‑合金元素多層薄膜，然後進行真空熱擴散處理工藝，最後經回火處理得到所述高矯頑力釹鐵硼磁體；所述熱擴散處理工藝的溫度為600~900℃，時間為3~10h。本發明所述方法，縮短了濺射重稀土‑合金元素薄膜所需的時間，薄膜擴散深度更深；相比於擴散純稀土元素的方法，薄膜擴散深度更深，可以進一步提升燒結釹鐵硼磁體的矯頑力。
