《一種晶片製備方法與待剝離晶片結構》是廣東省半導體產業技術研究院於2019年12月27日申請的專利，該專利公布號為CN111048635B，專利公布日為2021年6月18日，發明人是張康、趙維、賀龍飛、何晨光、吳華龍、曾昭燴、廖乾光、陳志濤。
基本介紹
- 中文名：一種晶片製備方法與待剝離晶片結構
- 申請日：2019年12月27日
- 公布日：2021年6月18日
- 公布號：CN111048635B
- 專利權人：廣東省半導體產業技術研究院
- 申請號：2019113750244
- 地址：510000廣東省廣州市天河區長興路363號
- 發明人：張康; 趙維; 賀龍飛; 何晨光; 吳華龍; 曾昭燴; 廖乾光; 陳志濤
- Int. Cl.：H01L33/00(2010.01)I; H01L33/12(2010.01)I; H01L33/20(2010.01)I
- 專利代理機構：北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合夥)11463
- 代理人：張欣欣
專利摘要,對比檔案,
專利摘要
本申請提供了一種晶片製備方法與待剝離晶片結構，涉及半導體技術領域。首先提供一襯底，然後沿襯底製作掩膜層，其中，掩膜層包括凹陷區，凹陷區的底部露出襯底的表面，且凹陷區的底部寬度小於頂部寬度，再沿凹陷區內襯底的表面依次生長緩衝層、模板層以及晶片本體，最後腐蝕掩膜層與模板層，以獲取目標晶片，其中，所述目標晶片包括晶片本體。本申請提供了一種晶片製備方法與待剝離晶片結構具有剝離晶片本體更加方便，且不會造成外延面積的浪費的優點。
對比檔案
WO 2019055936 A1,2019.03.21; CN 1447990 A,2003.10.08; CN 105720157 A,2016.06.29; US 2017271558 A1,2017.09.21; CN 107004706 A,2017.08.01; CN 107833878 A,2018.03.23
