[半導體]模組(semiconductor module)是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名:[半導體]模組
- 外文名:semiconductor module
- 所屬學科: 電氣工程
- 公布時間:1998年
[半導體]模組(semiconductor module)是1998年公布的電氣工程名詞。
[半導體]模組 [半導體]模組(semiconductor module)是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間 1998年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電氣工程名詞》。
DFB一LD).半導體雷射模組也廣泛地套用於光碟技術中,光碟技術是集計算技術、雷射技術和數字通信技術於一體的綜合性技術.是大容t.高密度、快速有效和低成本的信息存儲手段,它需要半導體雷射模組產生的光束將信息寫人和讀出....
功率半導體模組就是按一定功能、模式的組合體,功率半導體模組是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導體模組可根據封裝的元器件的不同實現不同功能,功率半導體模組配用風冷散熱可作風冷模組,配用水冷散熱可作水冷模組...
電力半導體模組是分立半導體器件的經一步發展,它是現代電力電子設備的主要器件。電力電子半導體器件在現代電力電子技術中占據著重要的地位,它正向高頻化、大功率化、智慧型化和模組化方向發展,其中模組化套用更為深入。電力半導體模組產品廣泛...
模組類型 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低...
可控矽模組通常被稱之為功率半導體模組(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模組原理引入電力電子技術領域,是採用模組封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。分類 可控矽模組從內部封裝晶片上可以分為...
《一種大功率半導體雷射器光纖耦合模組》是中國科學院長春光學精密機械與物理研究所於2010年5月18日申請的專利,該專利的申請號為2010101745812,公布號為CN101833150A,授權公布日為2010年9月15日,發明人是朱洪波; 王立軍; 彭航宇;...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型電晶體,是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流...
半導體製程是一項複雜的製作流程,先進的 IC 所需要的製作程式達一千個以上的步驟。這些步驟先依不同的功能組合成小的單元,稱為單元製程,如蝕刻、微影與薄膜製程;幾個單元製程組成具有特定功能的模組製程,如隔絕製程模組、接觸窗製程...
《電力半導體模組選用和代換手冊》是2004年機械工業出版社出版的圖書,作者是杜柏田。簡介 電力半導體模組正得到越來越廣泛的套用,各廠家產品(特別是占國內市場絕大多數份額的進口產品)雖然標稱電流值相同,但卻可能是常溫或某個高溫下的...
電力半導體模組用氮化鋁陶瓷基片 《電力半導體模組用氮化鋁陶瓷基片》是1998年11月1日實施的一項行業標準。備案信息 備案號 :1899-1998
IGBT功率模組是以絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)構成的功率模組。由於IGBT模組為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛套用於伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。技術特點 IGBT功率模組是電壓型控制...
模擬電路構建模組,如運算放大器、比較器、穩壓器與電壓參考電路 標準邏輯功能與接口 眾多存儲器產品,如標準或串列NOR快閃記憶體、NAND快閃記憶體、EPROM/EEPROM及非易失性RAM 射頻分立器件及IC 自成立時起,意法半導體就成功的實現了在市場開拓方面...
晨星半導體成立於2002.05,總部位於台灣新竹科技園,核心技術團隊來自美國TI公司;員工(全球)超過2000名,其中晶片研發人員約1200人,25%員工具有碩士以上學歷;全球共設有17個分支機構,在新竹、台北、美國、俄羅斯、法國、英國、中國大陸...
據最新的工業統計數據,意法半導體是全球第五大半導體廠商,在很多市場居世界領先水平。例如,意法半導體是世界第一大專用模擬晶片和電源轉換晶片製造商,世界第一大工業半導體和機頂盒晶片供應商,而且在分立器件、手機相機模組和車用集成...
241標準IGBT模組69 242壓接式IGBT69 243智慧型功率模組(IPM)70 244IGBT模製模組71 245分立式IGBT72 246套件73 25半導體的內部並聯74 26低感設計76 27IGBT模組的電路拓撲77 28IGBT絕緣配合79 281電氣間隙和爬電距離80 282絕緣電壓82 ...
參見圖2,示出2010年11月之前已有半導體器件結構的縱向剖視圖,在FWD區採用溝槽柵結構,在FWD區將二極體的陽極分成多個P+區,在外圍區為多個P+阱結構。上述器件雖然是將IGBT和FWD集成為一起,形成具有IGBT模組的單元性功能的器件。但該...
亞德諾半導體全稱為亞德諾半導體技術有限公司(analog devices, inc. )簡稱adi。是一家專營半導體感測器和信號處理ic的卓越的供應商,adi將創新、業績和卓越作為企業的文化支柱,並基此成長為該技術領域最持久高速增長的企業之一。公司簡介 ...
2010技術合規獎 - Celestica (授予安森美半導體、SANYO能源(美國)公司)2010年卓越供應商獎 – 新金寶集團 CM1624獲2010《電子設計技術》創新獎電源器材與模組類“優秀產品獎”AMIS-49587獲2010《電子設計技術》創新獎通信與網路類“優秀...
2.4.1標準IGBT模組69 2.4.2壓接式IGBT69 2.4.3智慧型功率模組(IPM)70 2.4.4IGBT模製模組71 2.4.5分立式IGBT72 2.4.6套件73 2.5半導體的內部並聯74 2.6低感設計76 2.7IGBT模組的電路拓撲77 2.8IGBT絕緣配合79 2....
到了20世紀中後期半導體製造技術進步,使得積體電路成為可能。相對於手工組裝電路使用個別的分立電子組件,積體電路可以把很大數量的微電晶體集成到一個小晶片,是一個巨大的進步。積體電路的規模生產能力,可靠性,電路設計的模組化方法確保...
基本半導體第二代碳化矽MOSFET系列新品基於6英寸晶圓平台開發,比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。汽車級全碳化矽功率模組 基本半導體針對新能源汽車主逆變器套用需求,自主研發半橋模組Pcore™2、三相全橋...
功率半導體模組 普通晶閘管模組,普通整流管模組,普通晶閘管/整流管混合模組,非絕緣型晶閘管模組,非絕緣型整流管模組,非絕緣型晶閘管/整流管混合模組,快速晶閘管/整流管模組,超快恢復二極體 優良的溫度特性和功率循環能力,國際標準封裝,...
產品涉及多個領域,其中包括IC、分立元器件、光學元器件、無源元件、模組、半導體套用產品及醫療器具。在世界電子行業中,羅姆的眾多高品質產品得到了市場的許可和讚許,成為系統IC和最新半導體技術方面首屈一指的主導企業。羅姆十分重視中國...
FRED整流橋開關模組是由六個超快恢復二極體晶片和一個大功率高壓晶閘管晶片按一定電路連成後共同封裝在一個PPS外殼內製成的設備。三相整流模組 近二十年來專業生產各類電力半導體模組的工藝製造技術,設計能力,工藝和測試設備以及生產製造經驗...
本標準規定了由矽基絕緣柵雙極電晶體(IGBT)以及碳化矽肖特基二極體構成的混合功率半導體模組的術語、文字元號、基本額定值和特性以及測試方法等產品特性要求。主要內容 本標準規定了由矽基絕緣柵雙極電晶體(IGBT)以及碳化矽肖特基二極體構成...
115功率模組內的寄生電學元件359 目錄ⅩⅦⅩⅧ功率半導體器件——原理、特性和可靠性(原書第2版)1151寄生電阻359 1152寄生電感362 1153寄生電容365 116先進的封裝技術367 1161銀燒結技術368 1162...
PS21265-AP是一款壓注模封裝的半導體模組,主要套用於空調、洗衣機和冰櫃當中。基本參數 家庭:功率驅動器 系列:Intellimod?類型:IGBT 配置:3相 電流:20A 電壓:600V 電壓-隔離:2500VDC 封裝/外殼:PCB模組 特點 1、第五代IGBT...