《化矽混合模組測試方法》是2018年12月17日實施的一項行業標準。
基本介紹
- 中文名：化矽混合模組測試方法
- 外文名：Test methods for hybrid silicon carbide modules
- 標準編號：T/IAWBS 006—2018
- 實施日期：2018年12月17日
- 發布日期：2018年12月06日
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起草人
張瑾，仇志傑，陸敏，彭同華，劉振洲，王志超，陳彤，鄭紅軍， 林雪如，陳鵬，劉禕晨
起草單位
中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟、中國科學院電工研究所、北 京天科合達半導體股份有限公司、北京世紀金光半導體有限公司、泰科天潤半導體科技（北 京）有限公司
適用範圍
本標準規定了由矽基絕緣柵雙極電晶體（IGBT）以及碳化矽肖特基二極體構成的混合功率半導體模組的術語、文字元號、基本額定值和特性以及測試方法等產品特性要求。
主要內容
本標準規定了由矽基絕緣柵雙極電晶體（IGBT）以及碳化矽肖特基二極體構成的混合功率半導體模組的術語、文字元號、基本額定值和特性以及測試方法等產品特性要求。
本標準規定了極限值試驗，特性參數測試、耐久性測試，根據特性參數確認模組特性，由此判斷是否通過極限值試驗。參數包括（集電極-發射極電壓VCES, 二極體反向電壓VR、集電極-發射極短路時的柵極-發射極電壓±VGES、最大集電極電流IC、二極體正向（直流）電流IF、集電極峰值電流ICM、二極體正向峰值電流IFM、反偏安全工作區RBSOA、短路安全工作區1 SCSOA1、二極體正向（不重複）浪涌電流IFSM、端子和底板之間的絕緣電壓Visol等）。
本標準還規定了檢測報告中應給出的信息。
