SGRAM

SGRAM (Synchronous Graphics Random-Access Memory)，同步圖形隨機存儲器，是一種專為顯示卡設計的顯存、一種圖形讀寫能力較強的顯存，由SDRAM改良而成。

基本介紹

• 中文名：同步圖形隨機存儲器
• 外文名：Synchronous Graphics Random-Access Memory
• 英文簡稱：SGRAM
• 分類：普通SGRAM與DDR SGRAM兩種

簡介

SGRAM（synchronous graphics random-access memory）是有一個同步接口的動態隨機存取記憶體，即DRAM的一種。它專門為顯示卡設計，通常是作為一種圖形讀寫能力較強的顯存使用。其本質是由SDRAM改良而成。和一般的SDRAM不同的是，其讀取是以“塊”（Block）為單位，從而明顯減少了讀寫次數，提高圖形控制器效率。SGRAM也分為SGRAM和DDR SGRAM兩種。和普通SDRAM的雙邊引腳TSOP封裝區別是，SGRAM通常採用四邊引腳的封裝方式。

SGRAM讀寫數據時不是一一讀取，而是以“塊”（Block）為單位，從而減少了記憶體整體讀寫的次數，提高了圖形控制器的效率。同SDRAM一樣，SGRAM也分普通SGRAM與DDR SGRAM兩種。

動態隨機存取存儲器

動態隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容記憶體儲電荷的多寡來代表一個二進制比特（bit）是1還是0。由於在現實中電晶體會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量並不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對於DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器（SRAM）只要存入數據後，縱使不刷新也不會丟失記憶。

與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。

與大部分的隨機存取存儲器（RAM）一樣，由於存在DRAM中的數據會在電力切斷以後很快消失，因此它屬於一種易失性存儲器（volatile memory）設備。

SDRAM

同步動態隨機存取記憶體（synchronous dynamic random-access memory，簡稱SDRAM）是有一個同步接口的動態隨機存取記憶體（DRAM）。通常DRAM是有一個異步接口的，這樣它可以隨時回響控制輸入的變化。而SDRAM有一個同步接口，在回響控制輸入前會等待一個時鐘信號，這樣就能和計算機的系統匯流排同步。時鐘被用來驅動一個有限狀態機，對進入的指令進行管線(Pipeline)操作。這使得SDRAM與沒有同步接口的異步DRAM(asynchronous DRAM)相比，可以有一個更複雜的操作模式。

管線意味著晶片可以在處理完之前的指令前，接受一個新的指令。在一個寫入的管線中，寫入命令在另一個指令執行完之後可以立刻執行，而不需要等待數據寫入存儲佇列的時間。在一個讀取的流水線中，需要的數據在讀取指令發出之後固定數量的時鐘頻率後到達，而這個等待的過程可以發出其它附加指令。這種延遲被稱為等待時間(Latency)，在為計算機購買記憶體時是一個很重要的參數。

SDRAM在計算機中被廣泛使用，從起初的SDRAM到之後一代的DDR（或稱DDR1），然後是DDR2和DDR3進入大眾市場，2015年開始DDR4進入消費市場。