RAM(Random Access Memory)的全名為隨機存取記憶體,它相當於PC機上的移動存儲,用來存儲和保存數據的。中文名 易失性存儲器 外文名 Random Access Memory 全名 ...
非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發展,非易失性存儲器主要分為塊定址和...
即使微控制器帶有內部存儲器,也可以通過增加外部串列EEPROM或快閃記憶體來滿足系統對非易失性存儲器的需求。2.引導存儲器在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中,設計...
鐵電存儲器是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,是採用人工合成的鉛鋯鈦(PZT) 材料形成存儲器結晶體,如圖3所示。當一個電場被施加到鐵電晶體時,中心原子順著電場...
FLASH快閃記憶體 的英文名稱是"Flash Memory",一般簡稱為"Flash",它屬於記憶體器件的一種,是一種非易失性( Non-Volatile )記憶體。快閃記憶體的物理特性與常見的記憶體有根本性的...
非易失性存儲器國際研討會(Non-Volatile Memory Technology Symposium,簡稱NVMTS ),由美國噴氣推進實驗室(Jet Propulsion Laboratory)發起,自2000年由美國華盛頓召開第...
Non-volatile memory,非易失存儲器,具有非易失、按位元組存取、存儲密度高、低能耗、讀寫性能接近DRAM,但讀寫速度不對稱,壽命有限。...
阻變式存儲器(RRAM)是以非導性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的非易失性存儲器。...
在單片機系統中,數據存儲器用於存放可隨時修改的數據。數據存儲器擴展使用隨機存儲器晶片,隨機存儲器簡稱RAM。對RAM可以進行讀/寫兩種操作,但RAM是易失性存儲器,...
快閃記憶體存儲(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的位元組為單位而是以固定的區塊為單位(注意:...
自旋隨機儲存器具有斷電數據非易失性、快速隨機、存儲密度高、穩定性高等優點,被認為可作為下一代通用儲存器。納電子學的主要目標。可以通過單個的儲存技術來提供...
可變電阻式記憶體(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非易失性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體,目前許多公司都正在發展...
需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。隨機存取存儲器類別 編輯 根據存儲單元的工作原理不同, RAM分為靜態RAM和動態RAM。靜態隨機存儲器(SRAM)靜態存儲單元是...
第三類存儲技術是復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊研發出的具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件,解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失...
NVRAM( Non-Volatile Random Access Memory) 是非易失性隨機訪問存儲器,指斷電後仍能保持數據的一種RAM。...
快閃存儲器(英語:flash memory),是一種電子式可清除程式化唯讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲,以及在計算機與...
Optane,中文名稱”傲騰“,是一種超高速記憶體新技術,兼容NVMe存儲協定。Optane兼容NVMe存儲協定,蘋果已經在其MacBook部分機型中使用了NVMe(非易失性存儲器)存儲協定。...
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)...
FM25L04是採用先進的鐵電工藝製造的4K位非易失性存儲器。鐵電隨機存儲器(FRAM)具有非易失性,並且可以象RAM一樣快速讀寫。FM25L04中的數據在掉電後可以保存45...
STT-MRAM是通過自旋電流實現信息寫入的一種新型非易失性磁隨機存儲器,是磁性存儲器MRAM 的二代產品。STT-MRAM存儲單元的核心仍然是一個MTJ,由兩層不同厚度的鐵...
意法半導體已經公布了與英特爾和Francisco Partners合資成立一個獨立的半導體公司的合作意向,名為Numonyx的新公司將主要提供消費電子和工業設備用非易失存儲器解決方案。...