第三類存儲技術

第三類存儲技術是復旦大學微電子學院教授張衛、周鵬團隊研發出的具有顛覆性的二維半導體準非易失存儲原型器件，解決了國際半導體電荷存儲技術中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。台北時間2018年4月10日，相關成果以長文形式線上發表於《自然·納米技術》，題為《用於準非易失套用的范德瓦爾斯結構半浮柵存儲》。

背景信息

半導體電荷存儲技術主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機的記憶體，可在幾納秒左右寫入數據，但掉電後數據會立即消失；

第二類是非易失性存儲，例如隨身碟，需要幾微秒到幾十微秒才能把數據保存下來，但在寫入數據後無需額外能量可保存10年。

第三類存儲技術，它的寫入速度比目前隨身碟快1萬倍，數據的存儲時間也可以自行決定，到了有效期後即自動消失。

功能特點

新型電荷存儲技術能夠實現全新的第三類存儲特性：寫入速度比目前隨身碟快1萬倍，數據刷新時間是記憶體技術的156倍，並且擁有卓越的調控性，可以實現按照數據有效時間需求設計存儲器結構。它既滿足了10納秒寫入數據速度，又實現了按需定製（10秒—10年）的可調控數據準非易失特性；既可以在高速記憶體中極大降低存儲功耗，還可以實現數據有效期截止後自然消失，為一些特殊套用場景解決了保密性和傳輸的矛盾。

發展趨勢

第三類存儲技術，可以為未來二維材料製作的超級電腦提供最高效、大容量的存儲。

比如無人駕駛汽車、智慧交通違章通知系統等，都在追求計算速度快、存儲容量大這種特性，第三類存儲技術未來套用廣泛。