P型高純鍺探測器(P-type high purity Ge detector)是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。
基本介紹
- 中文名:P型高純鍺探測器
- 外文名:P-type high purity Ge detector
- 所屬學科:放射醫學與防護
- 公布時間:2014年
P型高純鍺探測器(P-type high purity Ge detector)是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。
P型高純鍺探測器(P-type high purity Ge detector)是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義用P型高純鍺材料製成的半導體探測器。其...
P型高純鍺伽馬譜儀是一種用於物理學領域的核儀器,於2013年11月4日啟用。技術指標 鍺晶體直徑93.8mm,高度103.7mm,中心開孔直徑11.2mm,中心開孔深度89.9mm, 入射窗材料,碳纖維,入射窗厚度0.9mm, 測量能量精度,1.3MeV半高...
高純鍺探測器發展很快,有逐漸取代鍺。工作原理 採用高純度的 P型Ge單晶,一端表面通過蒸發擴散或加速器離子注入施主雜質(如磷或鋰)形成 N區 和 N+,並形成P-N結。另一端蒸金屬形成 P+,並作為入射窗。兩端引出電極。因為雜質濃度...
設計並研製了基於P型高純鍺晶體的點接觸電極高純鍺(PCGe)探測器,主要是在不顯著增加高純鍺探測器能量閾值情況下,大幅提升高純鍺探測器的單元質量,為未來更大規模的噸量級高純鍺暗物質實驗開展原型探測器技術和性能研究。
常用矽、鍺做半導體材料,主要有三種類型:①在n型單晶上噴塗一層金膜的面壘型;②在電阻率較高的 p型矽片上擴散進一層能提供電子的雜質的擴散結型;③在p型鍺(或矽)的表面噴塗一薄層金屬鋰後並進行漂移的鋰漂移型。高純鍺探測器...
《高純鍺暗物質實驗低能量區探測器中子和伽馬本底研究》是依託清華大學,由岳騫擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 2013年和2014年初國際上多個實驗組發表了新的輕質量暗物質探測結果,引起高度關注。高純鍺探測器憑藉極低的能量閾值可以...
《研製超高純鍺晶體及其輻射探測器關鍵技術研究》是依託清華大學,由李薦民擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 中國暗物質探測實驗是我國近年來所承擔的一個世界級的科研項目,實驗採用多個高純鍺探測器組成的陣列來尋找暗物質粒子。高純鍺...
低本底高純鍺γ能譜儀是一種用於地球科學領域的分析儀器,於2015年1月27日啟用。技術指標 P型同軸,能量影響範圍10keV至10MeV; 探測器回溫時高壓自動切斷;與PopTop冷指匹配;可用於TRP高計數率前放。主要功能 開展地面沉降動態監測和...
寬能量型高純鍺探測器是一種用於物理學、核科學技術領域的核儀器,於2019年10月30日啟用。技術指標 1、能量測量範圍3keV-3MeV 2、能量解析度 ≤0.55keV@14keV;≤0.75keV @122keV;≤[email protected]; 3、探測效率 1.33MeV ...
寬能型高純鍺探測器是一種用於化學、農學、食品科學技術領域的分析儀器,於2007年08月20日啟用。技術指標 1、Energy Range(能量範圍):3KeV to 3 MeV,Eff(效率):大於30% 2、Resolution(解析度): FWHM(5.9KeV):450eV ...
③高純鍺(HPGe)探測器。由於耗盡區寬度隨雜質濃度減少而增寬,因此減少雜質濃度(即高純度鍺)也是增寬耗盡區的方法之一。結構也分為平面型和同軸型兩種。同軸型高純鍺探測器可製成大體積,可測到10兆電子伏能區的γ射線能量。高純...
井型高純鍺探測器是一種用於地球科學、核科學技術、環境科學技術及資源科學技術、安全科學技術領域的核儀器,於2018年9月6日啟用。技術指標 (1) 工作偏壓:3000V; (2) 能量解析度:0.6 keV @122 keV; 1.8keV@1332 keV; (3)...
N型高純鍺探測器(N-type high purity Ge detector)是2014年全國科學技術名詞審定委員會公布的放射醫學與防護名詞,出自《放射醫學與防護名詞》第一版。定義 用N型高純鍺材料製成的半導體探測器。具有很薄的入射窗,可用於X射線和低能...
粒子物理實驗:暗物質直接探測實驗、無中微子雙貝塔衰變實驗、反應堆中微子和太陽中微子實驗等;核技術套用:宇宙線輻射成像、高靈敏度中子探測等;先進輻射探測技術:高純鍺探測器、液體和固體閃爍探測器、高位置分辨氣體探測器等。主要成就 ...