MOS控制型晶閘管

MCT（MOS Controlled Thyristor）是將MOSFET與晶閘管組合而成的複合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅動功率、快速的開關過程和晶閘管的高電壓大電流、低導通壓降的特點結合起來，也是Bi-MOS器件的一種。一個MCT器件由數以萬計的MCT元組成，每個元的組成為：一個PNPN晶閘管，一個控制該晶閘管開通的MOSFET，和一個控制該晶閘管關斷的MOSFET。

MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態壓降的特點。其通態壓降只有GTR的1/3左右，矽片的單位面積連續電流密度在各種器件中是最高的。另外，MCT可承受極高的di/dt和du/dt，使得其保護電路可以簡化。MCT的開關速度超高GTR,開關損耗也小。

總之，MCT曾一度被認為是一種最有發展前途的電力電子器件。因此，20世紀80年代以來一度成為研究的熱點。但經過十多年的努力，其關鍵技術問題沒有大的突破，電壓和電流容量都遠未達到預期的數值，未能投入實際套用。而其競爭對手IGBT卻進展飛速，所以，目前從事MCT研究的人不是很多。