2010年6月18日，山東省人民政府辦公廳以魯政辦發〔2010〕33號印發《關於加快發展我省新型電力電子器件產業的指導意見》。該《意見》分發展現狀及面臨的形勢、指導思想和目標、發展重點、政策措施4部分。
發展重點是：重點支持高端晶片的研發及產業化，建立晶片製造生產線和器件封裝測試生產線；大力推動電力電子模組研發和產業化，提高封裝測試能力；大力發展整機套用裝備產業，加大推廣套用；支持新型電力電子器件新材料研發及產業化；加強新型電力電子領域標準的制定和智慧財產權保護。
基本介紹
- 中文名：山東省人民政府辦公廳關於加快發展我省新型電力電子器件產業的指導意見
- 印發機關：山東省人民政府辦公廳
- 文號：魯政辦發〔2010〕33號
- 印發時間：2010年6月18日
簡述,意見,
簡述
2010年6月18日，山東省人民政府辦公廳印發《關於加快發展我省新型電力電子器件產業的指導意見》。
意見
山東省人民政府辦公廳關於加快發展我省新型電力電子器件產業的指導意見
魯政辦發〔2010〕33號
各市人民政府，各縣(市、區)人民政府，省政府各部門、各直屬機構，各大企業，各高等院校：
電力電子技術是利用電力電子器件對電能進行變換及控制的現代技術，已廣泛套用於高品質交直流電源、電力系統、變頻調速、新能源發電及各種工業裝備、系統與民用電器等領域，其產業的發展和套用已成為建設節約型社會和創新型國家的重要內容。為加快我省新型電力電子器件產業發展，經省政府同意，特提出以下指導意見。
一、發展現狀及面臨的形勢
(一)發展現狀。
1.國內外產業發展形勢。電力電子器件產業鏈包括電力電子晶片、器件、模組、套用裝備、專用材料等領域。電力電子器件的發展經歷了第一代半控型器件普通晶閘管、第二代以GTR(大功率電晶體)、GTO(門極可關斷晶閘管)、功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)等為代表的自關斷、全控型器件。近年來，新型電力電子器件以IGBT(絕緣柵雙極型電晶體)、IGCT(集成門極換流晶閘管)、MCT(MOS控制晶閘管)、IEGT(電子注入增強柵電晶體)等為代表，正朝著複合化、模組化及功率集成的方向發展。
國家高度重視電力電子器件產業發展，工業和信息化部等部門先後研究並制定了推進電力電子技術與產業發展的政策及相關發展規劃。目前，我國電力電子器件市場已經占到世界市場的40%以上份額，總量達到1000億元左右，並保持每年近20%的增長，成為世界上最大的電力電子產品市場。但以IGBT、功率MOSFET為代表的全控型大功率新型電力電子晶片及器件，我國大多依賴進口，關係國民經濟命脈和國家安全的關鍵領域中的電力電子核心技術和軟、硬體設施仍受到國外控制和封鎖，成為制約我國電力電子發展的重要因素之一。
2.我省產業發展現狀。在國家和省產業政策的支持下，我省新型電力電子器件產業有了較快發展，湧現出東營科達半導體、威海新佳電子、淄博銀河、淄博科匯、山東山大奧太電氣、積成電子、煙臺東方電子、山東新風光電子科技、萊蕪朗進以及海爾、海信等優秀企業，產品包括IGBT等新型電力電子器件的晶片設計與器件封裝、模組的設計與製造、套用整機開發生產等不同領域。其中，東營科達半導體的IGBT、MOSFET、FRD晶片的設計和製造方面處於國內領先地位，部分產品填補國內空白；淄博銀河是全球第四家也是國內唯一一家能夠生產IGBT模組用低熱阻陶瓷覆銅板(簡稱DBC)的廠家；威海新佳電子的IGBT、FRD、智慧型變頻模組等大功率模組的封裝測試技術處於國內領先水平，關鍵工藝技術具有國際先進水平，填補了國家多項空白；在IGBT模組套用整機裝置領域，山東山大奧太電氣作為電力電子套用技術企業，已經成為國內規模最大的節能型IGBT逆變焊機的龍頭生產企業，產品達到國際先進水平；積成電子、煙臺東方電子、淄博科匯電氣在電力工業自動化領域具有較強的優勢，電網調度自動化、變電站自動化、配電自動化、鐵路電力自動化設備與系統及高效節能電機等產品在國內具有較高的占有率；煙臺歐瑞傳動電氣名列交流電機變頻調速器行業前三名，山東新風光電子科技的高壓變頻器廣泛套用於礦山開採、石油鑽井、風能、太陽能發電等領域；萊蕪朗進的機車變頻空調，海爾、海信的變頻空調、變頻冰櫃的產銷居國內前列，已形成知名品牌。雖然我省電力電子器件產業發展已有一定基礎，並已擁有一批套用電力電子器件的整機產品和生產企業，但自主研發生產電力電子器件的能力還比較弱，晶片設計剛剛起步，還不能自主生產製造晶片，器件和模組封裝規模小，尚不能滿足發展需求。主要問題：一是對這一領域發展的重要性還認識不足，二是缺少高端人才和強有力的資金支持，三是從研發到套用尚缺少有利於相互支持、相互推動的體制和機制保障及配套政策、措施的推動。
(二)發展趨勢。科技發展和市場需求的雙重推動將進一步加快新型電力電子器件產業的高速發展，並呈以下發展趨勢。
1.製造工藝和技術不斷突破。超大規模積體電路技術將在新型電力電子器件製作中得到廣泛的套用，器件將向複合型、主電路及保護控制電路模組化和小型化的方向發展。
2.製作材料新型化。具有高載流子遷移率、強熱電傳導性以及寬頻隙新型半導體材料如碳化矽、氮化鎵和金剛石等將代替矽材料，並將擴大器件的頻率、功率等級、使用溫度範圍，減少器件的體積和成本。
3.器件將朝著高壓、大電流及高頻率方向發展。目前，高壓IGBT已對傳統GTO技術提出了挑戰，未來的一段時間裡，將是各種新型電力電子器件擴大容量、取長補短、共同發展的時代，它們各自的性能價格比將直接影響其自身發展速度和套用領域。
4.器件高度模組化。新型電力電子器件模組的電壓、電流及頻率都將進一步提高，而體積可望隨新材料的出現而減小，有可能深入到各個領域，進而取代一大批分立式電力電子器件。
5.功率積體電路(PIC)的套用領域將進一步擴大。電力電子器件與微電子線路高度集成的模組將進入視聽、大螢幕顯示、辦公自動化、汽車工業、機器人、工廠自動化及家庭自動化領域。與其他替換產品相比，功率積體電路(PIC)將以較低的成本和更高的可靠性，進一步推動電力電子技術的進步和套用領域的擴展。
二、指導思想和目標
(一)指導思想。全面貫徹落實科學發展觀，緊跟國際新型電力電子器件產業發展趨勢，加快發展新型電力電子器件產業；推進政產學研用相結合，強化原始創新、集成創新和引進消化吸收再創新，突破核心基礎器件發展的關鍵技術，提高新型電力電子器件生產技術和工藝水平；促進具有自主智慧財產權的晶片和技術的推廣套用，形成以晶片設計、生產為核心，封裝測試為重點，配套產業為支撐，套用裝備、系統發展為拉動，集晶片、器件、模組、整機和系統設計與生產製造為一體的產業鏈；突出企業主體地位，培育一批重點骨幹企業和知名品牌，提高產業核心競爭力。
(二)發展目標。經過3年發展，建立和完善有利於我省新型電力電子器件產業發展的政策環境、支撐體系、服務體系和相對合理的產業體系。重點培育5-8家在國內技術領先、在國際上有影響力的新型電力電子晶片設計企業，建設1-2條晶片製造生產線，在新型電力電子核心晶片設計及生產製造領域取得重大突破，達到國際先進水平；培育3-5家新型電力電子器件及模組封裝測試企業，建設具有國際先進水平的器件及模組封裝專用生產線；積極支持外圍配套材料產業發展，形成區域優勢；大力發展套用整機產品和系統，形成一大批新型電力電子器件套用整機和系統生產企業；以產業優勢區域為基礎，建設國內重要的新型電力電子器件產業基地。新型電力電子器件產業發展能力和社會融資能力進一步增強；對外吸收和接納人才、技術、資金、企業的能力進一步提高；新型電力電子產品的國產化率進一步提升。到2012年，力爭我省新型電力電子器件產業發展帶動250億元的整機產出，對促進我省節能減排、新能源開發利用發揮更大的作用。
三、發展重點
(一)重點支持高端晶片的研發及產業化，建立晶片製造生產線和器件封裝測試生產線。將高端晶片及器件的設計與製造作為振興我省新型電力電子器件產業的突破口，各級政府、金融機構、風險投資機構要加大扶持和投入力度，建設國家和省級工程技術中心、重點實驗室，整合企業、高等院校和科研機構等資源優勢，集中力量，研發具有自主智慧財產權的高端晶片和器件關鍵技術。重點支持絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)、金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)、快恢復二極體(FRD)等新型電力電子高端晶片和器件的研發。積極推動具有國際先進水平的新型電力電子晶片製造和封裝測試生產線建設。
(二)大力推動電力電子模組研發和產業化，提高封裝測試能力。積極推動採用自主技術的晶片和器件的功率模組產業化，重點支持新型電力電子器件大功率模組、智慧型功率模組(IPM)和用戶專用功率模組(ASPM)的研發和產業化，重點解決散熱、電磁兼容(EMC)和智慧型功率模組的驅動及保護等關鍵技術。積極推進適於新型電力電子模組封裝專用生產線建設，提高技術工藝水平。
(三)大力發展整機套用裝備產業，加大推廣套用。圍繞電機節能、新能源、輸變電、新能源汽車、軌道交通、飛機、船舶、變頻家電、工具機電子等工業裝備和系統等領域，支持採用自主技術晶片、器件和功率模組的電力電子整機套用技術和裝備、系統的研發和產業化，重點開發變頻電機、高效逆變焊機、變頻控制器、變頻家電、新能源用逆變併網設備、高效開關電源、不間斷電源、高效電磁加熱設備、電力控制設備等一批重點產品。加大新型電力電子器件及整機裝備的推廣套用力度，支持產用結合，重點實施一批套用示範工程。
(四)支持新型電力電子器件新材料研發及產業化。支持高等院校及科研機構和企業通過自主創新，不斷研發新型電力電子相關配套材料的關鍵技術；積極支持矽襯底材料、外延片、碳化矽、陶瓷基板、金屬及塑膠殼體、鉬片、底板及電極連線件、矽橡膠和矽凝膠等新型電力電子器件配套材料和產品的研發生產，重點支持絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)模組用低熱阻陶瓷覆銅板(DBC)、碳化矽等的技術研發，提高產業支撐和配套能力，把我省建成國內重要的新型電力電子器件材料研發和生產基地。
(五)加強新型電力電子領域標準的制定和智慧財產權保護。密切跟蹤國際標準，鼓勵和引導企業和高等院校及科研機構積極參與新型電力電子晶片、器件、模組、整機裝備與系統標準制定，通過標準化促進產業發展。增強智慧財產權保護意識，積極申請專利，提高企業核心競爭力。
四、政策措施
(一)強化政策支持，創造良好發展環境。各級、各部門要高度重視新型電力電子器件產業發展，加強政府引導，強化政策配套，把加快新型電力電子器件技術研究、產業發展和行業套用納入經濟和社會發展規劃。鼓勵產學研用相結合、自主創新與引進消化吸收再創新相結合，鼓勵企業間兼併、重組、整合資源。對符合規定條件的新型電力電子晶片設計、晶片製造、器件及模組封裝測試企業，落實積體電路產業稅收優惠相關政策。通過組織開展產業推進會、高層論壇、產品展示等各種活動，進一步加大對新型電力電子知識的普及和宣傳力度。
(二)加大資金扶持力度，拓寬融資渠道。各級政府要加大對新型電力電子器件產業的投入，在年度科技發展、技術攻關、引進消化吸收、基本建設、技術改造、各類工程技術中心、實驗室建設計畫中，將電力電子器件產業發展作為一項重點內容，加大投入和扶持力度。以新型電力電子產業鏈中基礎條件好、創新能力強的企業為依託，針對自主創新、產學研聯合、引進消化吸收再創新，實施專項工程，重點支持電力電子核心晶片、器件、模組、整機裝備、專用材料的研發和產業化。鼓勵金融機構、風險投資機構加大對新型電力電子器件企業的支持。通過招商引資、發行股票、債券、吸納民間資本等方式，拓展融資渠道，為企業發展提供資金支撐。
(三)加強創新體系建設，增強產業技術支撐能力。鼓勵新型電力電子晶片、器件、整機裝備和材料生產領域企業建立國家級、省級和市級企業技術中心和重點實驗室，依託企業技術中心和重點實驗室，加快具有自主智慧財產權新產品、新技術研發及產業化，全面提升核心競爭力。加強新型電力電子公共服務平台和服務體系建設，為廣大新型電力電子企業和創業人才提供良好的技術、投資、市場、法律諮詢、人才培訓等服務。
加強產學研聯合，積極吸引國內外大企業、高等院校和科研機構在我省設立或與我省聯合設立實驗室、研究機構和技術轉化基地，推動產學研用緊密結合，提高研發能力，提高新型電力電子類科技成果的轉化率，增強產業技術支撐能力。
(四)加強人才引進與培養，提供人才保障。結合重大科技專項和重點創新項目的實施，鼓勵在電力電子企業設立“泰山學者”崗位，採取團隊引進、核心人才帶動等多種方式引進學科技術帶頭人和複合型人才。營造人才引進的良好環境，積極落實並推動國家“千人計畫”、省“萬人計畫”的實施，通過資金獎勵、個人所得稅優惠、生活補貼、住房補貼等切實可行的方式，吸引國內外高端專業人才落戶山東，以提高企業技術研發水平和管理能力。鼓勵省內高校創辦與新型電力電子晶片設計、封裝測試、套用研究相關的特色學科，培養造就高層次科技研發人才、實用技術人才。重視企業家的教育培訓工作，多種措施並舉，培養造就一支優秀企業家隊伍。
(五)加強國際合作，壯大產業規模。加大招商引資力度，加強與國內、國際新型電力電子器件企業的交流與合作，吸引其在我省投資設立研發機構、生產基地。支持引導我省企業與著名跨國公司合作共同承擔科研項目。跟蹤國外新型電力電子器件產業及技術發展的最新動態，充分利用國外人才、技術、資金、市場、管理等方面的優勢，推動本土創新，提升我省新型電力電子器件產業競爭力，壯大產業規模，實現跨越式發展。
(六)建立產業聯盟，加強戰略合作。積極支持建立產學研用共同參與的產業聯盟，鼓勵聯盟內部技術合作和產品使用，充分利用產業聯盟所特有的技術互補優勢和本土化生產的成本優勢，開展聯合協同創新和新型電力電子產品的推廣套用活動。積極支持與國內外知名新型電力電子企業建立戰略合作關係，積極開拓產品市場。
(七)加快產業示範區建設，增強產業聚集。緊緊抓住國家大力發展新型電力電子器件產業和加快山東半島藍色經濟區及黃河三角洲高效生態經濟區建設的發展機遇，確定1-2個市建立我省新型電力電子器件產業發展和套用示範區，給予政策及資金方面的傾斜扶持，積極支持示範區興建新型電力電子晶片設計、製造企業，器件、模組封裝測試企業以及套用整機生產企業，電力電子材料、配套產品加工企業，形成產業集聚，發揮示範作用，打造區域優勢。
(八)擴大產業的套用領域，以用興業。進一步加大政府推動力度，引進國產化率考核，通過政府採購、節能工程、試點示範工程和項目、重大裝備首台套等政策，鼓勵整機生產企業和套用企業優先使用具有自主智慧財產權的國產晶片、器件、模組與整機裝備，擴大我省新型電力電子器件產品與系統裝備在我省各領域的套用。通過實施一批大的套用示範項目，培育一批科技創新型的新型電力電子企業，形成地方品牌優勢，努力開拓省外和國際市場。
山東省人民政府辦公廳
2010年6月18日
