《MOS大規模集成技術》是1984年科學出版社出版的圖書,作者是清華大學微電子學研究所。
基本介紹
- 中文名:MOS大規模集成技術
- 作者:清華大學微電子學研究所
- 出版時間:1984年11月
- 出版社:科學出版社
- 書號:15031605
《MOS大規模集成技術》是1984年科學出版社出版的圖書,作者是清華大學微電子學研究所。
《MOS大規模集成技術》是1984年科學出版社出版的圖書,作者是清華大學微電子學研究所。內容簡介本文集第一冊介紹MOS大規模集成技術的電路進展及設計技術,第二冊介紹工藝技術。一、二兩冊中,46篇論文和一篇為幫助讀者閱讀和...
可以說,清華的半導體車間成為了我國MOS集成技術最早的發源地。在成功開發、推廣中小規模MOS數控系列電路的基礎上,半導體車間又進一步向中大規模MOS積體電路進軍,先後研製成功050台式計算機(器)全套電路,2240位96字元發生器和1KDRAM等多種...
電晶體自對準技術,這是製作MOS大規模集成電路的一種重要工藝技術。採用該技術即可減小其中MOSFET的寄生電容,大大提高工作頻率和速度。(1)問題的提出:對於增強型MOSFET,如果柵電極與源/漏區域之間存在有間隙的話,則器件工作時溝道就...
《MOS大規模集成電路設計導論》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是J.馬弗。內容簡介 本書系統地介紹了MOS大規模積體電路的設計原理和設計技術。內容側重於NMOS和CMOS矽柵電路。本書共八章,第一、二章為大規模積體電路設計概述及MOS...
TTL 數字集成電路是利用電子和空穴兩種載流子導電的,所以又叫做雙極性電路。MOS 數字積體電路是只用一種載流子導電的電路,其中用電子導電的稱為NMOS 電路;用空穴導電的稱為PMOS 電路:如果是用NMOS 及PMOS 複合起來組成的電路,則稱為...
《MOS集成電路結構與製造技術》是2010年01月上海科學技術出版社出版的圖書,作者是潘桂忠,孫吉偉,任翀。內容簡介 《MOS積體電路結構與製造技術》利用積體電路剖面結構技術,系統地介紹MOS積體電路結構和典型積體電路製造技術,包括PMOS、...
截至2016年11月,李志堅主編出版了《半導體材料矽》《MOS大規模集成技術》《微電子技術中的MOS物理》等書,在中國國內外發表了論文200餘篇。MOS大規模集成技術進展.見:MOS大規模集成技術(上冊)[M].北京:科學出版社,1984.矽耗盡層...
《新型MOS功率器件和智慧型功率集成電路》是依託電子科技大學,由陳星弼擔任醒目負責人的重點項目。項目摘要 提出“複合緩衝層耐壓結構”獲美國及中國發明專利及國家發明獎。此結構使MOS類器件耐壓層導通電阻與擊穿電壓關係打破過去的極限理論。...
數字超大規模集成電路設計課程共十章,涵蓋納米和深亞微米CMOS工藝條件、系統級集成水平下的數字電路原理和設計技術兩部分內容。第一章介紹積體電路技術等知識點;第二章講述MOS管溫度特性等內容;第三章介紹反相器的電壓傳輸特性等知識點;...
MCBiCMOS結構良好的電路性能和占用較小晶片面積使其更適合於製作大規模、高性能的專用集成電路。BiCMOS 技術在高密度存儲器中的套用 高密度存儲器的存取時間由整個存取路徑決定,因為存儲器陣列本身是這路徑的獨一元件。在MOS存儲器外 圍...
《MOS集成電路工藝與製造技術》是2012年上海科學技術出版社出版的圖書,作者是潘桂忠。內容簡介 本書編著者潘桂忠。 《MOS積體電路工藝與製造技術》內容系統地介紹了矽積體電路製造技術中的基礎工藝,內容包括矽襯底與清洗、氧化、擴散、...
《矽基集成型功率MOS器件及高低壓集成技術與套用》,是由時龍興等人完成的科研項目。參與人員 主要完成人:時龍興(東南大學)孫偉鋒(東南大學)陸生禮(東南大學)蘇 巍(無錫華潤上華半導體有限公司)易揚波(東南大學)宋慧濱(東南大學...
本書可供從事大規模和超大規模集成電路研製和生產的研究人員、工程技術人員及大專院校有關專業師生、研究生參考.圖書目錄 目錄 第一章 MOS型大規模積體電路的製造技術 第二章 光學光刻原理 第三章 亞微米光刻的解析度極限 第四章 製造...
梁竹關、趙東風編著的《MOS管集成電路設計》根據積體電路沒計的特點,結合積體電路製造和封裝測試的有關知識和技術,系統介紹了MOS管積體電路設計的有關基礎理論知識、半導體積體電路基本加工工藝和設計規則、MOS管積體電路版圖設計的一些方法...
《大規模集成電路設計》是2005年高等教育出版社出版的圖書,作者是陳貴燦。內容簡介 《大規模積體電路設計》根據SOC設計的基礎知識和電路技術的新發展,系統地介紹模擬積體電路與數字積體電路中各種功能模組的原理、分析與設計。內容包括:MOS...
《大規模集成電路原理與設計》在編寫過程中充分考慮了計算機專業學生的需求,重點放在電路基本原理和設計方法上,目的在於使計算機專業背景的學生也能夠掌握積體電路的設計方法。《大規模積體電路原理與設計》可以作為計算機科學與技術、電子科學...
本書主要介紹大規模集成電路和微型計算機的基礎知識。全書共四篇,分上、下兩冊。上冊包括一、二兩篇,共九章。第一篇為半導體器件物理及大規模積體電路的基礎技術。其中,重點介紹了載流子總量分析方法及其套用;第二篇為微型計算機的基本...
這種技術特別適用於 MOS工藝(見開關電容濾波器)。另一方面,由於套用模擬採樣技術,採用 MOS工藝已能制出高穩定度的運算放大器和高精度的數-模與模-數轉換器。這兩種技術的結合,為模擬信息處理和通信設備分系統的大規模集成技術開 辟...
厚膜和薄膜電路與單片集成電路相比,各有特點,互為補充。厚膜電路主要套用於大功率領域;而薄膜電路則主要在高頻率、高精度方面發展其套用領域。單片積體電路技術和混合積體電路技術的相互滲透和結合,發展特大規模和全功能積體電路系統,...
CMOS,全稱Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互補金屬氧化物半導體,是一種大規模套用於積體電路晶片製造的原料。採用CMOS技術可以將成對的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)集成在一塊矽片上。該技術通常用於生產RAM和交換套用...
金屬-絕緣體-半導體系統(簡寫為 MIS)系統的三層結構如圖1所示。如絕緣層採用氧化物,則稱為金屬-氧化物-半導體(簡寫為MOS)系統。矽片上生長一層薄氧化膜後再覆蓋一層鋁,就是最常見的MOS結構。60年代以來MIS系統無論在技術套用...
②MOS場效應管(用金屬-氧化物-半導體構成柵極,見金屬-絕緣體-半導體系統);③MES場效應管(用金屬與半導體接觸構成柵極);其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規模積體電路的發展中,MOS大規模集成電路具有特殊的優越性。MES場效應管...
總之,確保場效應管安全使用,要注意的事項是多種多樣,採取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業技術人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據自己的實際情況出發,採取切實可行的辦法,安全有效地用好場效應管。套用領域 場效應管(fet)...
在國際上提出了多晶矽薄膜氧化動力學新模型和套用方程以及與同事合作在國際上提出MOS絕緣層中可動離子和電荷陷阱新的測量方法。率先開發成功多晶矽發射極超高速集成電路技術,推動中國雙極積體電路技術發展。創建了SOI(絕緣襯底上的矽 Silicon-...
語音識別系統中套用已很普遍;高頻開關電容濾波器已用於彩色電視接收機中,更高頻率的套用以及開關電容電路的非濾波運用一直是人們關心的問題,幾年來有很大發展。開關電容技術已是模擬集成電路家族中的重要成員。
例如:“金屬-金屬”接觸的一個重要效應就是熱電偶效應,可以用來測量溫度;MOS接觸效應可被用作電荷耦合器件(CCD),利用大規模集成技術將感光器件和控制邏輯電路同經離子注入、高摻雜或交疊柵等改善CCD性能的微細加工過的CCD集成在一...