LPCVD--Low Pressure Chemical Vapor Deposition低壓力化學氣相沉積法廣泛用於氧化矽、氮化物、多晶矽沉積,過程在管爐中執行,要求也相當高的溫度。
LPCVD--Low Pressure Chemical Vapor Deposition低壓力化學氣相沉積法廣泛用於氧化矽、氮化物、多晶矽沉積,過程在管爐中執行,要求也相當高的溫度。 ...
LPCVD SiN3 Oxide 300 2:1 5% Isotropic Silicon 250 10:1 5% Single Xtal 單晶體 n/a 300 (mask) 2:1 5% TiW Oxide 250 3:1 5% Molybdenum 鉬...
10.Sun Guosheng, Wang Lei, Gong Quancheng, Gao Xin, Liu Xingfang, Zeng Yiping, and Li Jinmin, “LPCVD growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si...
為了獲得低應力的多晶矽薄膜,通常在LPCVD澱積多晶矽薄膜完成後,通過高溫退火(>900℃)處理來釋放應力。[1] LPCVD澱積氧化矽的方法有多種。一種是在低於500℃條件下...
公司的產品:在真空焊接領域提供VLO系列真空共晶爐;半導體製程前道設備E系列擴散爐和LPCVD系統;以及最前沿的生產碳化矽半導體器件的高溫退火爐及高溫氧化爐;在電力電子...