非破壞性讀出（non-destructive readout）是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：非破壞性讀出
- 外文名：non-destructive readout
- 所屬學科：物理學
- 公布時間：2019年
- 審定機構：全國科學技術名詞審定委員會
公布時間,出處,
非破壞性讀出
相關詞條
- 非破壞性讀出
非破壞性讀出 非破壞性讀出（non-destructive readout）是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
- 非破壞性自參考讀取放大電路
非破壞性自參考讀取放大電路通常是由信號源、晶體三極體構成的放大器及負載組成，根據輸入迴路和輸出迴路的公共端不同，放大電路有三種基本形式：共射放大電路、共集放大電路和共基放大電路。介紹 增加電信號幅度或功率的電子電路。套用非...
- 唯讀存儲器
唯讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入後就固定下來，即使切斷電源，信息也不會丟失，所以又稱為固定存儲器。ROM所存數據通常是裝入整機前寫入的，整機工作過程中只能讀出，不像...
- FeRAM
鐵電存儲器的存儲原理是基於鐵電材料的高介電常數和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出(DRO)和非破壞性讀出(NDRO)。DRO模式是利用鐵電薄膜的電容效應，以鐵電薄膜電容取代常規的存儲電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉來實現數據...
- CID(感測器)
在CID中，信號電荷不用轉移，是直接注入體內形成電流來讀出的。即每當積分結束時，去掉柵極上的電壓，存貯在勢阱中的電荷少數載流子（電子）被注入到體內，從而在外電路中引起信號電流，這種讀出方式稱為非破壞性讀取（Non-Destructive Read...
- 磁表面存儲器讀寫原理
②非破壞性讀出，讀出不影響所存信息；③記錄介質可以重複使用；④由於是連續記錄，所以存取方式基本上是順序存取方式，不能如RAM那樣隨機訪問；⑤由於是連續記錄，需要比較複雜的定址定位系統；⑥由於在相對運動中進行讀寫，可靠性低於...
- 斯派克光譜儀
而在CID中，信號電荷不用轉移，是直接注入體內形成電流來讀出的。即每當積分結束時，去掉柵極上的電壓，存貯在勢阱中的電荷少數載流子（電子）被注入到體內，從而在外電路中引起信號電流，這種讀出方式稱為非破壞性讀取（Non-Destructive ...
- 輔存
磁表面存儲器的優點為存儲容量大、單位價格低、記錄介質可以重複使用、記錄信息可以長期保存而不丟失，甚至可以脫機存檔、非破壞性讀出，讀出時不需要再生信息。當然，磁表面存儲器也有缺點，主要是存取速度較慢，機械結構複雜，對工作環境...
- 有機浮柵薄膜電晶體存儲器的研製
《有機浮柵薄膜電晶體存儲器的研製》是依託吉林大學，由王偉擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 有機浮柵薄膜電晶體（FG－OTFT）存儲器具有工藝簡單、成本低，可大面積製備、非破壞性讀出與非易失性存儲等諸多優點，套用前景廣。目前，...
- 高保持力非易失性鐵電場效應電晶體特性研究
製備低界面態、低漏電流的高質量MF（I）S集成鐵電薄膜，設計製備低漏導電流（≤10負9畏紸/cm2）、高保持力（一個月以上）、具有一定存儲能力的非破壞性讀出Si基鐵電場效應電晶體器件原型。系統研究鐵電多層膜結構特性與漏電流、保持...
- 極化調製p-n結電流的高密度鐵電二極體存儲器
但是該存儲器採用了電荷積分的讀出方法，隨著存儲密度的提高，每個鐵電單元中的讀出電荷減少，導致了信號識別困難。為此，我們提出了新型鐵電存儲器電流讀出技術，採用電疇極化方向來調製鐵電二極體疇壁電流，從而實現信息的非破壞性讀取和器件...
- 紫外光譜
是近些年來光致變色領域中研究的熱點之一。作為可擦寫光存儲材料的光致變色光存儲介質，應滿足在半導體雷射波長範圍具有吸收、非破壞性讀出、良好的熱穩定性、優良的抗疲勞性和較快的回響速度等條件。
- 固體圖像感測器
光子在各敏感單元產生的電荷用X-Y定址方式讀出,當電荷從一個電極轉移到另一電極時,可在它們注入襯底時探測,也可用非破壞性讀出系統測出。CID主要採用二維陣列形式，在工業中尚未廣泛套用。主要套用 固體圖像感測器可用於電視攝像、機器人...
- CMOS圖像感測器
（3）系統複雜程度和可靠性。採用CMOS圖像感測器可以大大地簡化系統硬體結構。（4）非破壞性數據讀出方式。（5）最佳化的曝光控制。值得注意的是，由於在像元結構中集成了多個功能電晶體的原因，CMOS圖像感測器也存在著若干缺點，主要是噪聲和...
- TAS-MRAM
根據電位差的大小，可得確定 MTJ 的電阻，從而知道自由層與固定層磁矩之間的相對取向關係，這種讀出方法是非破壞性的。TAS技術 法國Spintec實驗室提出的TAS-MRAM器件結構，在鐵磁層上加入反鐵磁層，形成交換偏置作用。寫入時，首先在磁...
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根據電位差的大小，可得確定 MTJ 的電阻，從而知道自由層與固定層磁矩之間的相對取向關係，這種讀出方法是非破壞性的。STT-MRAM工作原理及特點 電流流過磁性層時，電流將被極化，形成自旋極化電流。自旋電子將自旋動量傳遞給自由層的磁矩，...
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該器件不僅將具有高密度（導電通道的尺寸小於100納米）、高速度（單個器件的遷移率高於2000 cm2/Vs，延遲時間小於1 ns）、低功耗（單個器件小於1微瓦）和低工作電壓(± 1V)等優點，還可具有非破壞性讀出以及結構更加簡單緊湊的優勢和...
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不僅具有非破壞性讀出、集成密度高等目前市場上主流的非易失性存儲器產品NAND 快閃記憶體的所有優點，而且具備柔性可摺疊、大面積製造、低成本等柔性電子器件的優點，是未來非常具有套用前景的一類新型電子器件。雖然經過了近年來的廣泛研究，有機...
- 光致變色材料
（4）偶氮苯類：偶氮苯類化合物光致變色性能良好，並其有超高存儲密度和非破壞性信息讀出等特點。偶氮苯類化合物的變色機理是由於含有一N一N一、形成順反異構結構所引起的。光或熱的作用可使順式和反式偶氮苯之間發生轉化，反式結構...
- 磁介電材料的關鍵基礎問題及其結構性能調控
電子水印”原型器件；構造了室溫多鐵隧道結四阻態存儲原型器件；研究了多鐵異質結中應變對剩餘磁化強度的各向異性和輸運性質的調控，提出一種電場寫入多重非易失性應變態，並可被電阻非破壞性讀出的機制。
- 磁記錄(利用磁的性質進行信息的記錄的方式)
磁記錄介質在重放過程中仍保留著它所存儲的信息，所以是一種非破壞性的讀出。如要清除磁記錄介質中存儲的信息，只要將磁帶通過清除磁頭，使其受到這磁頭產生的高頻磁場的作用而退磁後，就可將存儲的信息清除，使磁記錄介質回到退磁狀態。...
