霍耳遷移率(Hall mobility)是1993年發布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:霍耳遷移率
- 外文名:Hall mobility
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
霍耳遷移率(Hall mobility)是1993年發布的電子學名詞。
4. 計算電導率(安/伏米),及遷移率(米2/伏秒)。【設計內容】1.根據霍爾效應,測量磁感應強度原理,利用提供的儀器測試所給模型測量面上的一維(上下方向)磁分布。測量要求:描繪磁場分布(B—X曲線)研究所記錄的磁與數位訊號...
霍爾效應分析儀是一種用於材料科學領域的儀器,於2013年02月26日啟用。技術指標 1.輸入電流:1nA-20mA;2.電阻率(Ω.㎝):10-4—107;3.載流子濃度(1/cm3):107-1021;4.遷移率(cm2/Volt.sec):1-107;5.磁場強度(Tesla...
霍爾元件可用多種半導體材料製作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導體異質結構量子阱材料等等。半導體中電子遷移率(電子定向運動的平均速度)比空穴遷移率高,因此N型半導體較適合於製造靈敏度高的霍爾元件霍爾元件。常用的...
遷移率、霍爾係數;電阻率;磁致電阻;電阻的縱橫比率;4、儀器尺寸和重量 主機尺寸:360×300×105 mm (W×H×D)磁體Kit尺寸:200×120×110 mm (W×H×D);淨重:7.7千克;5、測量材料:Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, ...
還可以利用霍爾效應製作旋轉器、單向器和環行器。這類器件使信號沿單一方向傳輸,而不能沿相反的方向傳輸。製造 製造霍爾器件的半導體材料主要是鍺、矽、砷化鎵、砷化銦、銻化銦等。一般用N型材料,因為電子遷移率比空穴的大得多,器件...
該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和知名度。儀器輕巧方便,易於攜帶,主要用於量測電子材料之重要特性參數,如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾係數等,薄膜或固體材料均可...
整數量子霍爾效應最初在高磁場下的二維電子氣中被觀測到;分數量子霍爾效應通常在遷移率更高的二維電子氣下才能被觀測到。2004年,英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖洛夫,成功地在實驗中從石墨中分離出石墨烯,在室溫...
霍爾測試儀是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2007年09月28日啟用。技術指標 電流測試範圍:10nA-20mA;樣品最大尺寸:15*15mm;測試條件:常溫;測試磁場:0.335Telsa。主要功能 測試樣品的方塊電阻、遷移率、電阻率、霍爾...
深入研究金屬氧化物納米結構氣敏材料的氣敏特性和霍爾效應,探討氣敏材料表面和界面的物理化學過程,分析氣敏材料的載流子的濃度、遷移率和導電性及其與氣敏選擇性和穩定性之間的關係,發現影響氣敏材料選擇性和穩定性的控制因素,為研製高選擇...
高溫高阻霍爾測量系統是一種用於物理學、化學、生物學、材料科學領域的地球探測儀器,於2006年1月1日啟用。技術指標 HL5500+HL5580+HL5550+HL5590,溫度變化範圍從90K到600℃,最大測量方塊電阻為10↑11Ω/口,最小測試電流為1pA。主...
霍爾測量系統 霍爾測量系統是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器,於1999年8月1日啟用。技術指標 精度優1^0/0。主要功能 測試半導體性能參數、霍爾係數、電阻率、遷移率等。
黃國家、張永紅、徐岩岩、王禹舟 主要技術 本標準規定了石墨烯薄膜霍爾係數、電子濃度、電子遷移率、電阻率的測定方法。本標準適用於二維石墨烯薄膜樣品,其它二維導電薄膜的霍爾係數、電子濃度、電子遷移率、電阻率測定可參照執行。
霍爾效應法 霍爾效應法主要適用於較大的無機半導體載流子遷移率的測量。將一塊通有電流I的半導體薄片置於磁感應強度為B的磁場中,則在垂直於電流和磁場的薄片兩端產生一個正比於電流和磁感應強度的電勢U,這稱為霍爾效應。由於空穴、電子...
霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾係數,能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數。工作原理 霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化,磁場越強,電壓越高,磁場越弱,電壓越低。霍爾電壓...
(2)利用光致霍爾效應測定鈮酸鋰晶體在365nm紫外光輻照下的光激發載流子為電子,並且光激發載流子的霍爾遷移率具有各向異性性,沿c軸和x軸方向的霍爾遷移率分別在1 m^{2}/v.s和0.1 m^{2}/v.s的量級。(3)發現摻錫鈮酸鋰...
可以進行霍爾效應、I-V特性(電阻率)及磁電阻(MR)的測量; 可得出參數:霍爾效應――方塊電阻、電阻率、霍爾係數、導電類型、霍爾遷移率、載流子濃度;I-V特性的MR的特性曲線包括:不同磁場下的I-V特性曲線;不同溫度下的I-V特性...
隨後,採用直流磁控濺射的方法獲得了摻氫的氧化鋅鋁透明導電薄膜AZO,通過研究加氫量對AZO薄膜的晶體結構、載流子濃度、霍爾遷移率和電阻率的影響規律,確定了最佳摻氫量為4~8%時可獲得薄膜電阻率為5.5 ×10-4 Ω•cm、400~900nm...
8.1.3湯姆遜效應 8.1.4塞貝克係數、珀耳帖係數和湯姆 遜係數間的關係 8.2霍爾效應 8.2.1霍爾效應原理 8.2.2霍爾遷移率 8.2.3霍爾係數 8.3磁阻與壓阻效應 8.3.1磁阻效應 8.3.2壓阻效應 習題 參考文獻 ...
在上述研究的基礎上,結合玻爾茲曼輸運理論,進一步研究晶格弛豫效應對載流子的霍爾遷移率、磁光導等基本輸運物理量的影響。結題摘要 近年來發現的新型低維材料石墨烯和拓撲絕緣體,由於其奇特的物理特性有望在未來光電子器件中有重大套用而...
採用常壓超聲噴霧熱解法、通過氮和銦共摻雜,成功地製備出p型氧化鋅薄膜,其電學性能遠遠超過國際上的最好水平(電阻率降低了2個數量級,霍爾遷移率提高了2~3個數量級)。在此基礎上,又製備出具有p-氧化鋅/n-氧化鋅雙層結構的...