集電極-發射極截止電流（collector-emitter cut-off current）是1998年發布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名：集電極-發射極截止電流
- 外文名：collector-emitter cut-off current
- 所屬學科：電氣工程
- 公布時間：1998年
公布時間,出處,
集電極-發射極截止電流（collector-emitter cut-off current）是1998年發布的電氣工程名詞。
集電極-發射極截止電流（collector-emitter cut-off current）是1998年發布的電氣工程名詞。公布時間1998年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。1出處《電氣工程名詞》第一版。...
這是BJT共發射極組態的截止電流。該截止電流實際上也就是把集電結反向飽和電流Icbo放大β倍以後輸出的電流（因為這時發射結正偏、集電結反偏，電晶體處於放大狀態），因此Iceo要比Icbo約大β倍。③Iebo：集電極開路時的發射結反向飽和...
在正測時，對NPN管黑表筆接的是集電極，對PNP管，黑表筆接的是發射極。這是因為不論正測或反測，都有一個PN結處於反向，電池電壓大部分降落在反向的PN結上。發射結正偏，集電路反偏時流過的電流較大，呈現的電阻較小。所以對NPN...
發射極是半導體三極體的電極。一隻半導體三極體有三個電極，分別是發射極、基極和集電極。半導體管在工作時要加工作電壓，於是就產生了各極電流。半導體三極體在工作時發射極電流等於基極和集電極電流之和，其中基極電流最小，發射極電流最大...
2N6547是一款電子產品。基本參數 電流-集電極(Ic)（最大）：15A 電壓-集電極發射極擊穿（最大）：400V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：5V @ 3A, 15A 電流-集電極截止（最大）：1mA 在某Ic、Vce時的最小直流電流增益(hFE)：...
三極體8550是一種常用的普通三極體。 它是一種低電壓，大電流，小信號的PNP型矽三極體。最大集電極電流為1.5 A。管腳 8550三極體（TO-92封裝）管腳圖 （文字朝自己，引腳朝下）從左到右數如下:1腳=E（發射極，帶箭頭的那個），2...
截止狀態 當加在三極體發射結的電壓小於PN結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，即為三極體的截止狀態。開關三極體處於截止狀態的特徵是發射結...
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)特徵頻率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA 集電極允許電流IC：0.1（A）集電極最大允許耗散功率PT：0.2（W）插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V...
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)特徵頻率fT:7.0GHz 封裝：SOT-23 功率特性：中功率 極性：NPN型 結構：擴散型 材料：矽(Si)封裝材料：塑膠封裝 集電極允許電流：0.1（A）集電極最...
V(BR)CBO=150V,V(BR)EBO=6V 直流放大係數hFE: 35～75@VCE=10V,IC=10mA 集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)集電極允許電流IC：0.3（A）集電極最大允許耗散功率PT：1.0（W）
集電極-發射極電壓 25V 集電極-基極電壓 45V 發射極-基極電壓5V 集電極電流Ic Max 0.5A 耗散功率 0.625W 工作溫度 -55℃ ~ +150℃ 特徵頻率 150MHz 放大倍數 D64-91 E78-122 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 主要...
集電極發射極飽和壓降VCE(sat): 0.5v@IB=1mA;,IC=10mA;基極發射極飽和壓降VBE(sat): 1.4v@IB=1mA;,IC=10mA;集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)集電極允許電流IC：0.05（A）集...
該電子為p+n-p電晶體的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調製（雙極工作），所以可以降低集電極－發射極間飽和電壓。在發射極電極側形成n+pn－寄生電晶體。若n+pn－寄生電晶體工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電...
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)特徵頻率fT:8.0GHz@ VCE=10V,IC=20mA 集電極允許電流IC：0.1（A）集電極最大允許耗散功率PT：1.2（W）功率增益GUM：11.5dB@IC=20mA,VCE=10V,f...
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)特徵頻率fT:9.0GHz@ VCE=6V,IC=20mA 集電極允許電流IC：0.07（A）集電極最大允許耗散功率PT：0.3（W）功率增益GUM：15dB@IC=20mA,VCE=6V,f=...
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)特徵頻率fT:9.0GHz@ VCE=6V,IC=20mA 集電極允許電流IC：0.05（A）集電極最大允許耗散功率PT：0.2（W）功率增益GUM：9dB@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz...
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值) ；發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值) ；集電極允許電流IC：0.07（A）；集電極最大允許耗散功率PT：0.3（W）；截止頻率fT:9GHz@IC=20mA,VCE=6V,f=1GHz；噪聲係數NF：1.1dB@IC=...
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)特徵頻率fT:8.0GHz@VCE=3V,IC=5mA 集電極允許電流IC：0.35（A）集電極最大允許耗散功率PT：0.15（W）插入功率增益∣S21∣：7.5dB@IC=5mA,VCE=...
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)特徵頻率fT:8.0GHz@ VCE=8V,IC=15mA 集電極允許電流IC：0.1（A）集電極最大允許耗散功率PT：0.5（W）功率增益GUM：14dB@IC=15mA,VCE=8V,f=...