2N3500

2N3500,2N3501矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。屬於通用型晶體三極體。在該公司已有的軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研製開發了系列高頻和通用三極體，還包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品相同。

基本介紹

• 中文名：2N3500
• 工作結溫Tj：150℃
• 貯存溫度Tstg：-65~150℃
• 封裝形式：TO-39
• 功率特性：中功率
• 極性：NPN型

基本參數

類別：NPN-矽通用高頻低噪聲寬頻NPN電晶體

集電極-發射極電壓VCEO：150V

集電極-基極電壓VCBO:150V

發射極-基極電壓VEBO:6V

集電極直流電流IC:300mA

總耗散功率(TA=25℃)Ptot:1000mW

工作結溫Tj:150℃

貯存溫度Tstg:-65~150℃

封裝形式：TO-39

功率特性：中功率

極性：NPN型

結構：擴散型

材料：矽(Si)

封裝材料：塑膠封裝

電性能參數

（TA=25℃）：

擊穿電壓:V(BR)CEO=150V,V(BR)CBO=150V,V(BR)EBO=6V

直流放大係數hFE: 35～75@VCE=10V,IC=10mA

集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)

發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)

集電極允許電流IC：0.3（A）

集電極最大允許耗散功率PT：1.0（W）