2SC3357是PBR951矽超高頻低噪聲功率管一種基於N型外延層的電晶體的一種。
基本介紹
- 中文名：2SC3357
- 極性：NPN型
- 工作結溫Tj：150℃
- 封裝材料：塑膠封裝
2SC3357簡介,PBR951參數,電性能參數（TA=25℃）：,
2SC3357簡介
具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。主要套用於超高頻低噪聲功率管主要套用於VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模組等高頻寬頻低噪聲放大器。該晶片 原產於PHILIPS，現在國內也有公司生產。軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研製開發了系列高頻微波三極體，包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能 指標同NEC、philips同類產品相同。
PBR951參數
集電極-基極電壓VCBO:20V
發射極-基極電壓VEBO:1.5V
集電極直流電流IC:100mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:1200mW
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：SOT-89或者SOT-23
功率特性：中功率
極性：NPN型
結構：擴散型
材料：矽(Si)
封裝材料：塑膠封裝
電性能參數（TA=25℃）：
擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=1.5V
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
特徵頻率fT:8.0GHz@ VCE=10V,IC=20mA
集電極允許電流IC：0.1（A）
集電極最大允許耗散功率PT：1.2（W）
功率增益GUM：11.5dB@IC=20mA,VCE=10V,f=1GHz
噪聲係數NF：1.1dB@IC=20mA,VCE=10V,f=1GHz
反饋電容Cre：0.65 pF @IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。
