2N3500,2N3501矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。屬於通用型晶體三極體。軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研製開發了系列高頻和通用三極體，還包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品相同。
基本介紹
- 中文名：2N3501
- 功率特性：中功率
- 工作結溫Tj：150℃
- 貯存溫度Tstg：-65~150℃
- 封裝形式：TO-39
- 極性：NPN型
簡介,2N3501參數,電性能參數（TA=25℃）,
簡介
2N3500,2N3501矽超高頻低噪聲功率管是一種基於N型外延層的電晶體。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態範圍和理想的電流特性。屬於通用型晶體三極體。軍用微波相控陣雷達功率放大器件生產技術的基礎上，為民用市場研製開發了系列高頻和通用三極體，還包括2SC3356,2SC3357，2SC3838，BFQ591,2SC4226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產品相同。
2N3501參數
類別：NPN-矽通用高頻低噪聲寬頻NPN電晶體
集電極-發射極電壓VCEO：150V
集電極-基極電壓VCBO:150V
發射極-基極電壓VEBO:6V
集電極直流電流IC:300mA
總耗散功率(TA=25℃)Ptot:1000mW
工作結溫Tj:150℃
貯存溫度Tstg:-65~150℃
封裝形式：TO-39
功率特性：中功率
極性：NPN型
結構：擴散型
材料：矽(Si)
封裝材料：塑膠封裝
電性能參數（TA=25℃）
擊穿電壓:V(BR)CEO=150V,V(BR)CBO=150V,V(BR)EBO=6V
直流放大係數hFE: 35～75@VCE=10V,IC=10mA
集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)
發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)
集電極允許電流IC：0.3（A）
集電極最大允許耗散功率PT：1.0（W）
