隧穿(tunneling)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:隧穿
- 外文名:tunneling
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
隧穿(tunneling)是1993年公布的電子學名詞。
隧穿(tunneling)是1993年公布的電子學名詞。公布時間1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電子學名詞》第一版。1...
隧穿電流(tunneling current)是指在微電子技術中,當半導體的勢壘或者二氧化矽薄膜的厚度,薄至與載流子的德布羅意波(de Broglie波)的波長差不多時,發生載流子的量子隧穿效應的電流。基本概念 對於有限高度的勢壘,當勢壘厚度與微觀粒子...
隧穿結 採用先進的微製造技術已能夠製造尺度和電容非常小的隧穿結。外電極-隧穿結-島之間形成一個電容器-隧穿結-電容器。,單電荷現象產生條件是隧穿結電容的充電能應該遠大於熱能. 一般來說,隧穿結的電容應該小於10F,已經製造出...
隧穿磁阻效應(又稱穿隧磁阻效應)是指在鐵磁-絕緣體薄膜-鐵磁材料中,其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。定義 隧穿磁阻效應(或者穿隧磁阻效應)是指在鐵磁-絕緣體薄膜(約1納米)-鐵磁材料中,其穿隧電阻大小隨...
約瑟夫森效應屬於隧穿效應,但有別於一般的隧道效應,它是庫伯電子對通過由超導體間通過弱連線形成約瑟夫森結的超流效應。簡介 由微觀粒子波動性所確定的量子效應。又稱勢壘貫穿。考慮粒子運動遇到一個高於粒子能量的勢壘,按照經典力學,...
自旋相關隧穿,也即自旋相關的電子隧穿,電子隧穿的機率和自旋極化率的大小都可以用磁場來改變。自旋相關隧穿原理這是電子自旋相關隧穿的原理分析。研究背景 近來,電子的自旋相關現象在凝聚態物理領域引起了越來越多人的興趣,這可能是...
隧穿磁阻率表示隧道磁電阻效應的電阻大小。鐵磁薄片的磁化方向可以在外磁場的控制下被獨立的切換。如果極化方向平行,那么電子隧穿過絕緣層的可能性會更大,其巨觀表現為電阻小;如果極化方向反平行,那么電子隧穿過絕緣層的可能性較小,...
Klein隧穿,即在相對論物體可以通過所有勢壘,不管勢壘有多高或多寬:而在非相對論量子隧道理論中,低能粒子穿透高能勢壘的幾率永遠不會是100%,隨著勢壘變高變厚,穿越的可能性也隨之減小。但Klein隧穿中認為相對論粒子可以很輕易地穿越...
在微觀世界裡,量子力學的定律引發了奇特的現象,在一定條件下電子可以穿過勢壘向真空發射,這稱為“真空隧穿”。實際上電子還可以神奇地穿過薄的絕緣層,這在經典力學中更是不可想像的。如果兩個金屬電極之間有一個極薄的絕緣層(這個...
在量子力學裡,量子隧穿效應(Quantum tunneling effect)指的是,像電子等微觀粒子能夠穿入或穿越位勢壘的量子行為,儘管位勢壘的高度大於粒子的總能量。在經典力學裡,這是不可能發生的,但使用量子力學理論卻可以給出合理解釋。歷史 192...
《電子隧穿原理》是1998年科學出版社出版的圖書 ,作者是舒啟清。內容簡介 本書全面記述了量子力學中的電子隧穿勢壘效應研究工作的發展過程,介紹了電子隧穿的基本理論以及在各種隧道結中的具體處理方法、實驗結果和套用。本書力求反映近年...
《隧穿場效應電晶體的結構、特性與模型》是依託復旦大學,由黃大鳴擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 隨著金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)尺寸的持續小型化和晶片集成度的不斷提高,功耗已經成為制約積體電路發展的一個瓶頸問題。...
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光學隧穿 光學隧穿(optical tunneling)是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
非線性隧穿 非線性隧穿(nonlinear tunneling)是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
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量子隧穿是水分子在極端限制條件下的新行為,有助於科學家更好地描述高限制環境下的水的熱力學屬性和行為。概念簡介 美國能源部下屬的橡樹嶺國家實驗室(ORNL)官網訊息,該實驗室科學家通過中子散射和計算機模擬,揭示了水分子在極端限制...
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共隧穿 共隧穿(co-tunneling)是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
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隧穿磁電阻比率測量儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2018年03月01日啟用。技術指標 1、最大能測量12寸晶圓 2、能實現X軸移動和360旋轉 3、垂直磁場測量範圍為±550mT/±480kA/m,均勻性 主要功能 SmartProber P1隧穿...
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