基本介紹
- 中文名：陳敦軍
- 國籍：中國
- 出生日期：1969.10
- 職業：博導，教授
- 性別：男
個人簡歷,研究方向,主要課程,代表成果,
個人簡歷
2006年-2007年受哈佛大學GSAS資助在其工程與套用科學學院做邀請訪問學者。2005年入選“教育部新世紀優秀人才計畫”，2008年被評為南京大學中青年優秀學術帶頭人。
研究方向
目前主要從事GaN基光電子探測器/感測器結構設計與器件工藝和物理、GaN基太陽電池材料與器件結構設計及器件製備、GaN基異質結構設計與表征及其微波功率器件可靠性、新型低維半導體結構與器件等方面的研究。
主要課程
低維半導體物理與器件
代表成果
D. J. Chen, B. Liu, H. Lu, Z. L. Xie, R. Zhang, Y. D. Zheng, Improved performances of InGaN schottky photodetectors by inducing a thin insulator layer and mesa process, IEEE Electron Device Lett. 30: 605 (2009).
D. J. Chen, J .J. Xue, B. Liu, H. Lu, Z. L. Xie, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, Observation of hole accumulation at the interface of an undoped InGaN/GaN heterostructure, Appl. Phys. Lett. 95: 012112 (2009).
D. J. Chen, Y. Q. Tao, C. Chen, B. Shen, R. Zhang, Y. D. Zheng, Z. H. Li, G. Jiao, T. S. Chen, Improved transport properties of the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures by AlN surface passivation layer. Appl. Phys. Lett. 89: 252104 (2006).
D. J. Chen, B. Shen, X. S. Wu, R. Zhang, Y. D. Zheng, High-temperature characteristics of strain in AlxGa1-xN/GaN heterostructures with and without Si3N4 passivation layer, Appl. Phys. Lett. 88: 102106 (2006).
Y. Huang，D. J. Chen*, H. Lu, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, Photocurrent Characteristics of Two Dimensional Electron Gas Based AlGaN/GaN Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors, Appl. Phys. Lett. 96:243503 (2010).
