金屬剝離工藝（metal lift-off technology）是指基片經過塗覆光致抗蝕劑、曝光、顯影后，以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩模，帶膠蒸發所需的金屬，然後在去除光致抗蝕劑的同時，把膠膜上的金屬一起剝離乾淨，在基片上只剩下原刻出圖形的金屬。
基本介紹
- 中文名：金屬剝離工藝
- 外文名：metal lift-off technolog
- 流程：塗覆光致抗蝕劑、曝光、顯影
簡介,發展歷史,工藝步驟,優點,
簡介
金屬剝離工藝是指一種精細的光刻腐蝕工藝。基片經過塗覆光致抗蝕劑、曝光、顯影后，以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩模，帶膠蒸發所需的金屬，然後在去除光致抗蝕劑的同時，把膠膜上的金屬一起剝離乾淨，在基片上只剩下原刻出圖形的金屬。金屬剝離工藝的優點是可獲得亞微米圖形，而且邊緣陡直，圖形尺寸精確。該工藝可普遍套用於要求精細光刻圖形的半導體器件的製造。
發展歷史
在GaAs MESFET工藝中，有幾種特殊工藝方法，其中最主要的是金屬剝離技術，自對準柵技術和柵刻槽技術。由於微波GaAs MESFET中，柵長為亞微米和亞半微米的數量級，而柵寬卻有好幾百微米甚至毫米數量級， 因此，用通常的矽電晶體金屬光刻廳法很難勝任，為此首先發展了金屬剝離工藝技術。
工藝步驟
屬剝離工藝步驟大體如下：塗敷、曝光、顯影、堅膜以得到需要的圖形，接著在片子上做金屬化(通常用蒸發方法)，然後用有機溶劑(常用乙醇和丙酮)去除光致抗蝕劑。與此同時在抗蝕劑頂部的金屬隨抗蝕劑一起脫離，而同GaAs片子直接接觸的金屬被保留下來。
與腐蝕工藝不同，金屬剝離工藝的成功之處在於金屬對抗蝕劑邊緣特別靈敏，抗蝕劑圖形通常製成開口小腔體大有著頂部突出邊緣的剖面形狀，並研製出多種能提供這種剖面的光刻技術。
