剝離技術

剝離技術是GaAs必不可少的的技術。

基本介紹

• 中文名：剝離技術
• 外文名：Liftoff

大多數的GaAs工藝技術的開發都是圍繞著剝離技術（Liftoff）來進行的，而不是刻蝕工藝。

剝離技術的工藝過程為：首先塗上厚的光刻膠並形成圖案，接下來使用蒸發技術澱積一層金屬薄層。蒸發的一個特點是對大深寬比圖形的覆蓋性差。如果在光刻膠上得到了一個凹角的剖面，則金屬條保證會斷線。接下來將晶圓片浸到能溶解光刻膠的溶液里，直接澱積在半導體表面上的金屬線將被保留，而澱積在光刻膠上的金屬將隨著光刻膠的溶解而從晶圓片上脫離。這樣就避免了對襯底的刻蝕損傷，並且由於無限大的選擇性，金屬圖形不會出現底切。由於這個工藝的最簡單形式，只需要一個腐蝕槽和可能的超音波震動，因此被廣泛地套用於實驗室的研究工作中。

剝離工藝有幾個缺點。首先，由於所設計的金屬澱積工藝具有很差的階梯覆蓋性，因此其表面形貌必須非常光滑。這就使得這種工藝或者只能限於一層金屬化，或者在剝離形成圖形前的每一層都必須進行平坦化的處理。這實際上限制了濺射的使用。另一個嚴重的問題是剝離的金屬，形成殘留在槽里的固體和漂浮物。其中幾種是極易澱積在晶圓表面的。除非圖案很簡單，否則剝離還存在著合格率的問題。