超淨高純(VLSD) 試劑是大規模積體電路(IC) 及高檔半導體器件製造過程的專用化學品，主要用於矽單晶片的清洗、光刻、腐蝕工序中，它的純度和潔淨度對積體電路的成品率、電性能、可靠性都有著重要的影響。
超淨高純試劑通常由低純試劑或工業品經過純化精製而成，其工藝過程包括選料、提純、過濾、分裝、儲存等重要環節。
基本介紹
- 中文名：超淨高純試劑
隨著IC集成度的不斷提高，對超淨高純試劑的質量指標提出了更高要求。國際上半導體工業協會(Semiconductor Industry Association) 新近推出Semi C7 (適合0.8~1.2μm 工藝技術) 和Semi C8 (適合於0.2~0.6μm 工藝技術) 級別試劑質量標準。
中國的超淨高純試劑有低塵高純級、MOS級、BV-I 級、BV-I級、BV-皿級(相當於Semi C7 質量標準)。超淨高純試劑的質量標準要求如下。
等級 檢測項目/項塵埃顆粒直徑/pum100ml 含量個
低塵高純 10 ~20 10~ 15 3000~4000
MOS 20~30 5~1 02700
BV- I >=30 2 300
BV-II >=302 100
