《表面電漿納米光刻技術研究》是依託上海交通大學，由李海華擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：表面電漿納米光刻技術研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：李海華
- 依託單位：上海交通大學
- 批准號：60808014
- 申請代碼：F0508
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：21（萬元）
項目摘要
本項目通過探索周期性結構和非周期性結構金屬表面電漿納米光刻技術的曝光機制，利用光傳播特性三維電磁場時域數值模擬傳輸線矩陣算法進行建模，在此基礎上進行表面電漿納米光刻技術工藝路線的研究，最終確立金屬表面電漿的曝光機制，獲得表面電漿納米光刻技術的最佳工藝參數。該技術繼承了現有半導體微加工的主體技術路線，更容易納入現有半導體微加工的主體技術路線；同時，比較深紫外曝光和浸沒式曝光技術的設備要低廉得多，是一項非常適合中國國情的下一代與傳統微電子工藝兼容的曝光技術。基於表面電漿的亞波長納米曝光技術的納米光刻技術，利用新的原理，實現現有半導體微納加工的光學解析度極限的突破，是一具有重大挑戰和現實意義的課題。本項目的立項和研究工作的展開可以推動微納電子器件、光學器件和光電子器件加工技術進入世界先進行列，具有較大的科學意義和經濟價值。
