《用於納米光刻的電漿發射與吸收光譜》是依託中國人民解放軍國防科技大學，由曾交龍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：用於納米光刻的電漿發射與吸收光譜
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：曾交龍
- 依託單位：中國人民解放軍國防科技大學
- 批准號：10774191
- 申請代碼：A2107
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：32（萬元）
中文摘要
現代技術要求電子元器件不斷小型化,因而急迫需要用於納米光刻技術的短波光源，目前半導體工藝中使用的光源將被下一代波長為13.5納米的極端遠紫外（EUV）光源所替代，這是因為後者能夠把光刻技術擴展到32納米以下的特徵尺寸。研究工作表明，氙和銻電漿光源被認為是發射EUV光譜的最佳候選對象。本項目針對這兩種電漿，使用精確原子光譜參數，研究EUV光源電漿的發射與吸收特性。發展精確的使用細緻能級模型的研究方法，特別針對氙、銻建立適合高Z材料的電漿物理模型，研製發射與吸收特性的計算軟體，並著重研究影響電漿發射和吸收光譜特性的相關物理效應，如組態相互作用特別是芯價電子關聯、譜線寬度和相對論效應等。在研究物理效應的基礎上，開展並行計算，建立可靠的發射與吸收光譜資料庫，為提高雷射轉換效率的實驗設計、電漿輻射輸運等研究提供精密物理參數。
