薛忠營，男，中國科學院大學專職教師。
基本介紹
- 中文名：薛忠營
- 畢業院校：中科院上海微系統與信息技術研究所
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
人物經歷,科研成果,專利成果,發表論文,
人物經歷
2014-01~現在, 中科院上海微系統與信息技術研究所, 副研究員
2011-07~2013-12,中科院上海微系統與信息技術研究所, 助理研究員
2008-04~2011-06,中科院上海微系統與信息技術研究所, 博士研究生
2002-07~2008-03,積成電子股份有限公司, 工程師
1999-09~2002-06,山東大學, 碩士研究生
1995-09~1999-06,山東大學, 本科
科研成果
專利成果
（ 1 ） 一種用於單晶矽生長爐的熱屏及單晶矽生長爐, 2020, 第 1 作者, 專利號: 2020106296508
（ 2 ） 一種用於單晶生產爐的熱屏結構及單晶生產爐, 2020, 第 1 作者, 專利號: 202010621640X
（ 3 ） 一種用於單晶生產爐的熱屏裝置、控制方法及單晶生產爐, 2020, 第 1 作者, 專利號: 2020106216823
（ 4 ） 一種用於隔絕熱量的熱屏障裝置及熔煉爐, 2020, 第 1 作者, 專利號: 202010621665X
（ 5 ） 場效應電晶體結構及其製備方法, 2017, 第 1 作者, 專利號: 2017111551374
（ 6 ） 一種絕緣體上石墨烯的製備方法, 2017, 第 1 作者, 專利號: 2017111394706
（ 7 ） 一種SiGe中嵌入超晶格製備應變Si的方法, 2015, 第 1 作者, 專利號: 201110418827.0
（ 8 ） 一種嵌入超晶格製備應變Si的方法, 2015, 第 1 作者, 專利號: 201110418819.6
（ 9 ） 一種嵌入超晶格層組製備應變Si的方法, 2015, 第 1 作者, 專利號: 201110419356.5
發表論文
（1） Interface Engineering-Assisted 3D-Graphene/Germanium Heterojunction for High-Performance Photodetect, ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 第 1 作者
（2） High-Performance Broadband Tungsten Disulfifide Photodetector Decorated with Indium Arsenide Nanoislands, Phys. Status Solidi A, 2020, 通訊作者
（3） Wafer-scale fabrication of single-crystal graphene on Ge(110) substrate by optimized CH4/H2 ratio, Applied Surface Science, 2020, 通訊作者
（4） Ferroelectric Enhanced Performance of a GeSn/Ge Dual-Nanowire Photodetector, Nano Lett, 2020, 第 6 作者
（5） Enhanced Peltier Effect in Wrinkled Graphene Constriction by Nano-Bubble Engineering, Small, 2020, 第 5 作者
（6） Probing built-in stress effect on the defect density of stretched monolayer graphene membranes, Carbon, 2019, 第 1 作者
（7） Fermi level depinning in Ti/n-type Ge Schottky junction by the insertion of fluorinated graphene, Journal of Alloys and Compounds, 2019, 通訊作者
（8） Direct Growth of Unidirectional Graphene Nanoribbons on Vicinal Ge(001), Phys. Status Solidi RRL, 2019, 通訊作者
（9） Biaxially strained germanium micro-dot array by hydrogen ion implantation, Surface & Coatings Technology, 2019, 通訊作者
（10） Biaxially strained germanium micro-dot array by hydrogen ion implantation, Surface & Coatings Technology, 2018, 通訊作者
（11） Enhanced cracking in Si/B-doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructures via hydrogen trapping effect, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2018, 第 2 作者
（12） Double quantum criticality in superconducting tin arrays-graphene hybrid. Nature Communications, Nature Communications, 2018, 第 4 作者
（13） Germanium-Assisted Direct Growth of Graphene on Arbitrary Dielectric Substrates for Heating Devices, Small, 2017, 第 1 作者
（14） The reduction of critical H implantation dose for ion cut by incorporating B-doped SiGe/Si superlattice into Si substrate, applied surface sciences, 2016, 第 1 作者
（15） Catalyst-free approach for growth of graphene sheets on high-density silica nanowires by CVD, materials letters, 2016, 通訊作者
（16） High quality extremely thin SOI fabricated by facilitated ion-cut with H-trapping effect, Journal of Vacuum Science & Technology B, 2016, 第 2 作者
（17） Influence of hydrogen fluence on surface blistering of H and He co-implanted Ge, uclear Instruments and Methods in Physics Research Section B, 2016, 第 2 作者
（18） Ge-on-insulator wafer with ultralow defect density fabricated by direct condensation of SiGe-on-insulator structure, applied surface sciences, 2015, 第 3 作者
（19） Deterministic Assembly of Flexible Si/Ge Nanoribbons via Edge-Cutting Transfer and Printing for van der Waals Heterojunctions, small, 2015, 第 3 作者
（20） Manipulation of strain state in silicon nanoribbons by top-down approach, applied physics letters, 2015, 第 3 作者
（21） Strain analysis of free-standing strained silicon-on-insulator nanomembrane, Chinese Phys B, 2015, 第 3 作者
（22） Uniaxial and tensile strained germanium nanomembranes in rolled-up geometry by polarized Raman scattering spectroscopy, AIP Advances, 2015, 第 3 作者
